IXYS IXYH30N120C3D1

Описание

IXYS IXYH30N120C3D1 – это N-канальный MOSFET-транзистор на основе карбида кремния (SiC), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Благодаря использованию технологии SiC, транзистор обеспечивает низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и повышенную эффективность в сравнении с традиционными кремниевыми MOSFET.

Устройство подходит для:

• Выпрямителей и инверторов
• Импульсных источников питания (SMPS)
• Систем возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, зарядные станции)
• Электроприводов и промышленных преобразователей

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный SiC MOSFET |
| Напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В |
| Ток стока (I_D) при 25°C | 30 А (непрерывный) |
| Максимальный импульсный ток (I_DM) | 60 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 80 мОм (при V_GS = 20 В) |
| Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 4–6 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +175°C |
| Корпус | TO-247-3L |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXFH30N120 – аналог с близкими параметрами (Si-технология)
• IXFH30N120P – версия с улучшенными характеристиками
• IXFN30N120 – в корпусе TO-264

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon – IMW120R045M1H (SiC MOSFET, 1200 В, 45 А)
• Cree/Wolfspeed – C3M0065090D (SiC MOSFET, 900 В, 32 А)
• STMicroelectronics – SCT30N120 (SiC MOSFET, 1200 В, 30 А)
• ROHM – SCT3040KL (SiC MOSFET, 1200 В, 40 А)

Примечание

При замене на аналогичные модели рекомендуется проверять характеристики в даташите, особенно V_GS(th), R_DS(on) и динамические параметры, так как они могут влиять на работу схемы.

Если требуется точный аналог по SiC-технологии, лучше выбирать модели от Wolfspeed (Cree) или Infineon. Для стандартных применений подойдут и кремниевые MOSFET, но с меньшей эффективностью на высоких частотах.