IXYS MCC16212IO1B

Описание IXYS MCC16212IO1B

MCC16212IO1B – это силовой модуль на основе IGBT-транзисторов с интегрированными диодами обратного хода (антипараллельными диодами). Он предназначен для применения в инверторах, преобразователях частоты, импульсных источниках питания и других силовых электронных устройствах.

Модуль включает в себя два IGBT с N-канальной структурой, каждый с собственным быстрым диодом. Конструкция обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 16 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 8 А | | Импульсный ток (I_CM) | 32 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Потери при переключении (E_on + E_off) | ~0,6 мДж (при 8 А, 600 В) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Epitaxial Diode – FRED) | | Обратное напряжение диода (V_RRM) | 1200 В | | Ток диода (I_F) | 16 А | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,75 °C/Вт | | Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C | | Корпус | 23-выводной, модульный (тип. SEMITOP) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные/совместимые модели от IXYS (Littelfuse):

• MCC16212IO1 (без суффикса "B", возможны незначительные отличия)
• MCC16212IO2B (модификация с улучшенными характеристиками)
• MCC16210IO1B (аналог с напряжением 1000 В)
• MCC16216IO1B (аналог с током 20 А)

Аналоги от других производителей:

• Infineon FF100R12RT4 (схожий модуль на 100 А, 1200 В)
• SEMIKRON SKM100GB12T4 (другой форм-фактор, но похожие параметры)
• Fuji Electric 2MBI100U2A-120 (двухканальный IGBT-модуль)

Применение

• Промышленные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Если требуется уточнение по конкретным аналогам, рекомендуется проверять даташиты на соответствие электрическим и тепловым параметрам.