IXYS MCD2616IO8B

Описание и технические характеристики IXYS MCD2616IO8B

Описание:
IXYS MCD2616IO8B – это силовой MOSFET-модуль (IGBT) с обратным диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Модуль выполнен в изолированном корпусе, что обеспечивает хорошие тепловые характеристики и электрическую изоляцию.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |---------------------------|--------------------------------------| | Тип прибора | IGBT + диод (модуль) | | Макс. напряжение VCES | 600 В | | Макс. ток (IC @ 25°C) | 25 А | | Ток коллектора (IC @ 100°C)| 16 А | | Макс. импульсный ток (ICM)| 50 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat))| 1,85 В (тип.) | | Время включения (ton) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (toff) | 190 нс (тип.) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C | | Корпус | Изолированный (TO-263) | | Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

• IXYS MCD2616IO8 (аналогичная модель без дополнительных модификаций)
• IXYS MCD2616IO8A (предыдущая версия)
• Infineon IRG4BC30FD (аналог по характеристикам)
• STMicroelectronics STGF30NC60KD (схожие параметры)
• Fairchild (ON Semiconductor) FGA25N120ANTD

Совместимые модули в других корпусах:

• IXYS MCD162-12IO1 (аналог с другим корпусом)
• SEMIKRON SKM75GB12T4 (схожий модуль IGBT)

Примечание:

Перед заменой рекомендуется свериться с даташитом, так как электрические и тепловые параметры могут незначительно отличаться. Если требуется точный аналог, лучше использовать оригинальную модель MCD2616IO8B или её модификации от IXYS.

Если вам нужна более детальная информация (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните – могу помочь с поиском документации.