IXYS MDD142-12N1

Артикул: 377907
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS MDD142-12N1
IXYS MDD142-12N1 – это мощный двунаправленный MOSFET-модуль, разработанный для управления высокими токами и напряжениями в импульсных и силовых приложениях.
Основные технические характеристики:
- Тип: N-канальный MOSFET, двунаправленный
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 120 В
- Непрерывный ток стока (ID): 142 А (при 25°C)
- Импульсный ток стока (IDM): до 400 А
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)): ~6 мОм (при VGS = 10 В)
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2–4 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 300 Вт
- Корпус: TO-247 или аналогичный изолированный
- Количество MOSFET в модуле: 2 (двунаправленная конфигурация)
- Температурный диапазон: -55°C до +150°C
Применение:
- Высоковольтные импульсные преобразователи
- Мостовые схемы (H-мосты)
- Управление двигателями (BLDC, сервоприводы)
- Источники питания и инверторы
- Силовые ключи в промышленной электронике
Парт-номера и совместимые модели:
Аналоги и замены:
- IXYS MDD142-12N2 (модификация с улучшенными параметрами)
- IXYS IXFN142N12T (похожий MOSFET в другом корпусе)
- Infineon IPP120N12S4 (аналог от Infineon)
- STMicroelectronics STW88N12 (альтернатива от ST)
Совместимые модули в схемах:
- IXYS MDD160-16N1 (более высокое напряжение)
- IXYS MDD100-12N1 (меньший ток, но похожие параметры)
- IRFP4468PbF (International Rectifier) – для замены в некоторых схемах
Если требуется точная замена, важно учитывать параметры RDS(on), VGS(th) и тепловые характеристики.
Нужна дополнительная информация по применению или datasheet?