IXYS MDD142-12N1

IXYS MDD142-12N1
Артикул: 377907

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IXYS MDD142-12N1

IXYS MDD142-12N1 – это мощный двунаправленный MOSFET-модуль, разработанный для управления высокими токами и напряжениями в импульсных и силовых приложениях.

Основные технические характеристики:

  • Тип: N-канальный MOSFET, двунаправленный
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 120 В
  • Непрерывный ток стока (ID): 142 А (при 25°C)
  • Импульсный ток стока (IDM): до 400 А
  • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)): ~6 мОм (при VGS = 10 В)
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2–4 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 300 Вт
  • Корпус: TO-247 или аналогичный изолированный
  • Количество MOSFET в модуле: 2 (двунаправленная конфигурация)
  • Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Применение:

  • Высоковольтные импульсные преобразователи
  • Мостовые схемы (H-мосты)
  • Управление двигателями (BLDC, сервоприводы)
  • Источники питания и инверторы
  • Силовые ключи в промышленной электронике

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

  • IXYS MDD142-12N2 (модификация с улучшенными параметрами)
  • IXYS IXFN142N12T (похожий MOSFET в другом корпусе)
  • Infineon IPP120N12S4 (аналог от Infineon)
  • STMicroelectronics STW88N12 (альтернатива от ST)

Совместимые модули в схемах:

  • IXYS MDD160-16N1 (более высокое напряжение)
  • IXYS MDD100-12N1 (меньший ток, но похожие параметры)
  • IRFP4468PbF (International Rectifier) – для замены в некоторых схемах

Если требуется точная замена, важно учитывать параметры RDS(on), VGS(th) и тепловые характеристики.

Нужна дополнительная информация по применению или datasheet?

Товары из этой же категории