IXYS MDD172/18N1

Описание и технические характеристики IXYS MDD172/18N1

Описание:
IXYS MDD172/18N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 1800 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 18 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 1.72 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Заряд затвора (Q_g) | ~70 нКл |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

• IXYS: MDD172-18N1B (возможна другая модификация)
• IR (Infineon): IRFPG50 (аналог, 1000 В, 18 А)
• STMicroelectronics: STW18NK90Z (900 В, 18 А)
• Toshiba: 2SK2837 (1500 В, 15 А)
• Fairchild/ON Semi: FCH47N60 (600 В, 47 А, но в другом корпусе)

Примечание:

• Аналоги могут отличаться по напряжению и току, поэтому перед заменой необходимо проверить соответствие параметров.
• Рекомендуется использовать оригинальный MDD172/18N1 в высоковольтных схемах из-за его уникального сочетания характеристик.

Если требуется более точный подбор аналогов, уточните условия работы (частота коммутации, нагрузка, схема включения).