IXYS MDD20018N1

Описание IXYS MDD20018N1

IXYS MDD20018N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (до 1000 В)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Защита от перегрузок
• Планарная технология для улучшенной надежности

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Макс. напряжение V_DS | 1000 В | | Макс. ток I_D | 20 А | | Сопротивление R_DS(on) | 0.18 Ом (при V_GS = 10 В) | | Мощность рассеивания P_D | 200 Вт (при T_C = 25°C) | | Напряжение затвора V_GS | ±30 В | | Время включения t_d(on) | 15 нс | | Время выключения t_d(off) | 60 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (аналогичные характеристики):

• IXYS MDD20018N1G (аналогичная версия)
• IXFH20N100 (аналог от IXYS)
• STW20NK100Z (STMicroelectronics)
• IRFP460 (International Rectifier, с похожими параметрами)

Совместимые модели (схожие параметры, возможны отличия):

• IXFH22N100 (IXYS, 1000 В, 22 А)
• FQP20N100 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRFP450 (International Rectifier, 500 В, но часто используется в схожих схемах)
• APT10020JN (Microsemi, 1000 В, 20 А)

Примечания

1. Перед заменой проверьте спецификации, особенно V_DS, I_D и R_DS(on).
2. Учитывайте рабочую температуру и условия охлаждения.
3. В высокочастотных схемах важны параметры емкости затвора (C_iss, C_oss, C_rss).

Если вам нужны детальные сравнения с конкретными аналогами, уточните область применения.