IXYS MDD31208N1

Описание и технические характеристики IXYS MDD31208N1

Описание:
IXYS MDD31208N1 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для высокоэффективных коммутационных приложений. Используется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, управлении двигателями и других силовых электронных схемах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 120 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 30 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.035 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 83 Вт |
| Температура перехода (T_J) | -55°C до +150°C |
| Заряд затвора (Q_g) | ~45 нКл |
| Время включения/выключения (t_r/t_f) | ~15 нс / ~30 нс |

Парт-номера и аналоги:

• Прямые аналоги:
  • IRF3205 (International Rectifier) – 55 В, 110 А, R_DS(on) = 0.008 Ом
  • FDP2532 (Fairchild) – 150 В, 28 А, R_DS(on) = 0.045 Ом
  • STP80NF55-06 (STMicroelectronics) – 55 В, 80 А, R_DS(on) = 0.006 Ом
• Совместимые модели в схемах (по характеристикам):
  • IRLB3034PbF (Infineon) – 40 В, 195 А
  • IPP120N04S4-03 (Infineon) – 40 В, 120 А

Примечание:
Перед заменой на аналог следует учитывать различия в напряжении, токе и R_DS(on), особенно в высокочастотных схемах.

Если нужны уточнения по конкретному применению, укажите условия работы (напряжение, ток, частота переключений).