IXYS MDD4408N1B

Описание и технические характеристики IXYS MDD4408N1B

Модель: IXYS MDD4408N1B
Тип: N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор)
Назначение: Высоковольтное переключение в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других силовых приложениях.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип канала | N-канальный |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 400 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.6 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Макс. мощность рассеяния (P_D) | 50 Вт |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Температура эксплуатации | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги:

• IXYS MDD4408N1 (основная версия, возможно, с другими параметрами корпуса)
• IRF440 (аналог от International Rectifier)
• STP4NK40Z (STMicroelectronics)
• FQP4N40 (Fairchild/ON Semiconductor)

Близкие по характеристикам:

• IRF840 (500 В, 8 А, R_DS(on) = 0.85 Ом)
• STP8NK40ZFP (STMicroelectronics, 400 В, 7.5 А)
• IXFH8N50 (IXYS, 500 В, 8 А)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Драйверы двигателей
• Инверторы

Если вам нужны более точные аналоги или уточнение параметров, укажите конкретные требования (например, корпус, ток, напряжение).