IXYS MUBW5012E8

Описание и технические характеристики IXYS MUBW5012E8

Описание:
IXYS MUBW5012E8 — это мощный двунаправленный (биполярный) MOSFET-модуль, предназначенный для управления высокими токами в импульсных схемах, инверторах, мостовых конфигурациях и других силовых приложениях. Он объединяет два N-канальных MOSFET в общем корпусе, обеспечивая высокую эффективность и компактность при высокой нагрузке.

Модуль подходит для применения в:

• Импульсных источниках питания
• Управлении двигателями
• Индукционном нагреве
• Преобразователях частоты
• Системах возобновляемой энергетики

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (2 шт.) | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 120 В | | Макс. ток стока (I_D) | 50 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 12 мОм (тип.) | | Макс. мощность рассеяния | 300 Вт | | Корпус | TO-263-7L (D2PAK) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Температура перехода | до +150°C | | Заряд затвора (Q_g) | 80 нКл (тип.) | | Время включения/выключения | нс (указано в даташите) |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (замены):

• IXYS MUBW5012E6 (аналог с другим корпусом)
• IRFB4110PbF (от Infineon, требует проверки параметров)
• AUIRF1324S-7P (International Rectifier)

Совместимые модели (похожие характеристики):

• IXYS MUBW5015E8 (более высокое V_DSS)
• IXYS MUBW4012E8 (40 А, 120 В)
• STP80NF55-08 (STMicroelectronics)

Примечание:

Перед заменой рекомендуется свериться с даташитом (Datasheet IXYS MUBW5012E8) для проверки вольтажа, тока и тепловых характеристик. Некоторые аналоги могут отличаться по корпусу или динамическим параметрам.

Для точного подбора аналога используйте платформы вроде Octopart, FindChips или LCSC.

Если нужна помощь с поиском аналогов для конкретного применения — уточните условия работы (напряжение, ток, частота переключений).