IXYS N1275NS14M

IXYS N1275NS14M – Описание и технические характеристики

Описание:

IXYS N1275NS14M – это N-канальный MOSFET транзистор с изолированным затвором (IGBT-подобный), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его идеальным для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств.

Корпус TO-263 (D²PAK) обеспечивает хороший теплоотвод, что позволяет эффективно рассеивать мощность.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 12 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 1.25 Ом (при V_GS = 15 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В (тип.) | | Макс. мощность рассеивания (P_D) | 150 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C | | Тип затвора | Стандартный (не логический) | | Время включения (t_d(on)) | 18 нс (тип.) | | Время выключения (t_d(off)) | 60 нс (тип.) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• IXYS N1275NS14 (тот же чип, возможно, другие корпуса)
• IXFH12N120 (аналог от IXYS с похожими параметрами)
• STW12N120 (STMicroelectronics)
• IRFP12N120 (Infineon)
• FGA12N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)

Похожие MOSFET (альтернативы с близкими характеристиками):

• IXYS IXFH12N120
• Infineon IPW60R120P7
• STMicroelectronics STW20NM120

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet на предмет соответствия характеристик, особенно V_DSS, R_DS(on) и тока стока.