IXYS VMO1200-01F

Описание

IXYS VMO1200-01F – это высоковольтный MOSFET-транзистор, предназначенный для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах, промышленных и телекоммуникационных системах. Компонент выполнен в корпусе TO-247, обеспечивает высокую надежность и эффективность в условиях повышенных напряжений и токов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 12 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_DM) | 48 А | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 1.2 Ом (при V_GS = 10 В) | | Мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Время включения (t_d(on)) | 25 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 120 нс | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (аналогичные параметры):

• IXYS VMO1200-01F (оригинал)
• IXFH12N120 (аналог от IXYS)
• IRFPG50 (аналог от Infineon, 1000 В, 5.6 А)
• STW12N120 (аналог от STMicroelectronics)

Совместимые модели (схожие характеристики):

• IXFH20N120P (20 А, 1200 В)
• IXFN32N120P (32 А, 1200 В)
• APT12060LN (1200 В, 60 А)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные преобразователи
• Промышленные системы управления

Компонент обеспечивает высокую эффективность и надежность в условиях жестких электрических нагрузок. При замене рекомендуется проверять соответствие параметров в конкретной схеме.