IXYS VUO110-14N07

IXYS VUO110-14N07: Описание, технические характеристики и совместимые модели

Описание

IXYS VUO110-14N07 – это мощный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного хода, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Модуль выполнен в корпусе VUO (Versatile Ultra-low On-state) и обеспечивает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения.

Применяется в:

• Промышленных инверторах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Преобразователях частоты
• Системах управления двигателями
• Сварочном оборудовании

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + Diode (полумост) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 700 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 110 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 220 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,75 В (тип.) |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 390 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,32 °C/Вт |
| Габариты (корпус VUO) | ~ 62 × 34 × 12 мм |
| Вес | ~ 95 г |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (IXYS / Littelfuse)

• VUO110-14N07 (оригинал)
• VUO110-14NO7 (альтернативное написание)

Совместимые / похожие модели других производителей

• Infineon: FF200R07KE3, FF300R07KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF, CM300DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120, 2MBI300U4A-120
• SEMIKRON: SKM400GB12T4

Примечания

• При замене на аналог необходимо учитывать напряжение, ток, корпус и схему включения.
• Для эффективного охлаждения рекомендуется использовать термопасту и радиатор.
• Перед пайкой или установкой проверяйте полярность и схему подключения.

Если нужна дополнительная информация по заменам или применению, уточните детали!