IXYS VUO1612NO1

Описание и технические характеристики IXYS VUO1612NO1

IXYS VUO1612NO1 – это мощный MOSFET-модуль, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных системах.

Основные характеристики:

• Тип прибора: MOSFET (N-канальный, двойной в одном корпусе)
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 1200 В
• Максимальный ток стока (ID): 16 А (при 25°C)
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 1.2 Ом (при ID = 8 А, VGS = 15 В)
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 4 В (тип.)
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
• Рассеиваемая мощность (PD): 300 Вт (с учетом теплоотвода)
• Корпус: TO-247 (изолированный)
• Температурный диапазон: -55°C … +150°C

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IXYS VUO1212NO1 (1200 В, 12 А, RDS(on) = 1.5 Ом)
• IXYS VUO16012 (1200 В, 16 А, RDS(on) = 1.2 Ом)
• IXYS IXFN16N120 (1200 В, 16 А, RDS(on) = 0.8 Ом)
• Infineon IRFP32N20K (200 В, 32 А, но с лучшими динамическими характеристиками)

Совместимые модули в схемах (по характеристикам):

• STMicroelectronics STW16N120K5
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH16N120
• Toshiba TK16N120W

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Управление двигателями
• Сварочное оборудование

Если нужны дополнительные данные по аналогам или параметрам – уточните!