IXYS VUO190-08NO7

Описание и технические характеристики IXYS VUO190-08NO7

IXYS VUO190-08NO7 – это мощный IGBT-модуль с диодным обратным ключом, предназначенный для применения в высоковольтных и сильноточных схемах. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

• Тип модуля: IGBT + диод (DUAL)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 800 В
• Ток коллектора (I_C): 190 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 120 А (при 100°C)
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 380 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 625 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 180 нс
• Тип корпуса: модуль с изолированным основанием (Isolated Baseplate)
• Температурный диапазон: от -40°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера:

• IXYS VUO190-08NO7 (оригинальный номер)
• IXYS VUO190-08 (схожий модуль без уточнения ревизии)
• IXYS VUM190-08NO7 (возможный аналог с другими параметрами)

Совместимые и аналогичные модели (из других производителей):

• Infineon FF200R12KE3 (200A, 1200V)
• SEMIKRON SKM200GB128D (200A, 1200V)
• Mitsubishi CM200DY-24NF (200A, 1200V)
• Fuji 2MBI200U4A-060 (200A, 600V)

Примечание: При замене модуля необходимо учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также совместимость по корпусу и разводке контактов.

Если вам нужна дополнительная информация (datasheet, схемы подключения), уточните запрос!