IXYS VUO55-08N07

IXYS VUO55-08N07 – это мощный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных импульсных приложений.

Основные характеристики:

• Тип: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 800 В
• Ток коллектора (I_C): 55 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 110 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,1 В (при I_C = 55 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 250 нс
• Корпус: TO-247 (изолированный)
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

• IXYS VUO55-08N07 (оригинал)
• IXYS VUO55-08NO7 (альтернативное написание)
• IXGN55N80 (аналог от IXYS)
• IRG4PH50UD (аналог от International Rectifier)
• FGA60N65SMD (аналог от Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели и замена:

• IXYS VUO75-08NO7 (75 А, 800 В)
• IXYS VUO40-08NO7 (40 А, 800 В)
• IXGN60N100 (60 А, 1000 В)
• IRG4PC50UD (55 А, 900 В)

Применение:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление двигателями
• Индукционный нагрев
• Сварочное оборудование

Этот IGBT отличается высокой надежностью и эффективностью в силовых электронных схемах. При замене рекомендуется учитывать рабочие параметры и условия эксплуатации.