IXYS VUO60-08N03

Описание

IXYS VUO60-08N03 – это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-247, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Основные сферы использования: импульсные источники питания, DC-DC преобразователи, инверторы, драйверы двигателей и другие силовые электронные устройства.

Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что обеспечивает высокую эффективность и минимизацию тепловых потерь.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 80 В | | Макс. ток стока (I_D) | 60 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 8 мОм (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2–4 В | | Макс. мощность (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 | | Температурный диапазон | -55°C ... +150°C | | Заряд затвора (Q_g) | ~120 нКл | | Время включения (t_d(on)) | ~20 нс | | Время выключения (t_d(off)) | ~50 нс |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги от IXYS (Infineon):

• IXFH60N08
• IXFN60N08

Аналоги от других производителей:

• IRFP260N (International Rectifier)
• STP60NF06 (STMicroelectronics)
• FDP61N20 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRFB4310PbF (Infineon)

Похожие модели (с близкими параметрами):

• IXYS VUO80-08N04 (80 В, 60 А)
• IXYS VUO100-08N03 (100 В, 60 А)

Примечания

• Перед заменой на аналог рекомендуется проверить соответствие характеристик.
• Для высокочастотных применений важно учитывать заряд затвора (Q_g) и скорость переключения.
• При работе на высоких токах требуется эффективный теплоотвод.

Если нужны дополнительные параметры (графики, корпусные размеры и т. д.), уточните!