IXYS VUO86-12N07

IXYS VUO86-12N07 – это мощный MOSFET-транзистор, используемый в высоковольтных и высокочастотных приложениях, таких как импульсные источники питания, инверторы и системы управления двигателями.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D) при 25°C: 8 А
• Импульсный ток стока (I_DM): 32 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 1.2 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GSS): ±30 В
• Рассеиваемая мощность (P_D): 50 Вт (при T_C = 25°C)
• Тип корпуса: TO-220 (изолированный)

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

• IXYS: VUO86-12NO7, VUO86-12N07-1
• IR (Infineon): IRF840 (аналог с близкими параметрами, но V_DSS = 500 В)
• STMicroelectronics: STP8NK120Z (аналог с V_DSS = 1200 В, I_D = 8 А)
• Fairchild/ON Semiconductor: FQPF8N120C (аналог в корпусе TO-220F)
• Toshiba: 2SK2837 (аналог с V_DSS = 1200 В, I_D = 8 А)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Высоковольтные коммутационные устройства

Транзистор отличается высокой надежностью и эффективностью в высоковольтных схемах. При выборе аналога важно учитывать напряжение, ток и параметры корпуса.