Freescale MRF8P23080HS

Freescale MRF8P23080HS
Артикул: 406661

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Freescale MRF8P23080HS

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Freescale (NXP) MRF8P23080HS.

Общее описание

MRF8P23080HS — это мощный транзистор на основе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от Freescale (ныне NXP Semiconductors). Он предназначен для использования в выходных каскадах усилителей мощности в профессиональном радиооборудовании, работающем в диапазоне частот от 2 до 230 МГц.

Этот транзистор является ключевым компонентом для:

  • Мобильных и базовых станций профессиональной радиосвязи (PMR, P25, TETRA, DMR).
  • Систем радиорелейной связи.
  • Промышленных, научных и медицинских (ISM) генераторов.
  • ВЧ-пластин для индукционного нагрева.

Его основное преимущество — способность обеспечивать очень высокую выходную мощность при широкой полосе пропускания, сохраняя высокий коэффициент усиления и хорошую линейность.


Ключевые технические характеристики

При типичных условиях работы (например, Vd = 50V, Pout = 80 Вт, частота 230 МГц):

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 2 - 230 МГц | Рабочий диапазон | | Выходная мощность (Pout) | 80 Вт (CW) | Непрерывный режим (Peak Envelope Power) | | Коэффициент усиления по мощности (Gps) | 20 дБ (мин.) | При 230 МГц, Pout=80 Вт | | КПД (Drain Efficiency) | 65% (тип.) | При 230 МГц, Pout=80 Вт | | Напряжение стока (Vd) | 50 В | Типичное рабочее напряжение | | Линейность (IMD3) | -35 дБн (тип.) | Уровень интермодуляционных искажений 3-го порядка | | Класс усиления | AB | Обеспечивает баланс между мощностью, КПД и линейностью | | Тип корпуса | SOT-1190 (Flange) | Мощный металлокерамический корпус с изолированным фланцем | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.5 °C/Вт (макс.) | Показатель эффективности отвода тепла | | Монтаж | Изолированный фланец | Позволяет монтировать транзистор на радиатор без изолирующей прокладки |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель может выпускать один и тот же кристалл в разных корпусах или с разной маркировкой для разных рынков. Также существуют прямые аналоги от других производителей.

1. Парт-номера от NXP/Freescale (прямые аналоги):

  • MRF8P23080HSR5 — Это, скорее всего, полный парт-номер, включающий обозначение упаковки (например, на ленте и катушке - "R5"). В спецификациях часто используется базовая часть MRF8P23080HS.
  • MRF8P23080H — Более короткая версия названия, может использоваться в некоторых документах или системах.
  • MRF8P23080 — Еще более короткий вариант, но обычно относится к тому же семейству.

2. Совместимые / Аналогичные модели от других производителей:

Важно: При замене необходима проверка схемы и настройка (tuning), так как полная взаимозаменяемость не гарантирована даже при схожих параметрах.

  • Ampleon (выделилась из NXP):

    • BLF8G22LS-130PV — Более новая модель, возможно, с улучшенными параметрами, но в другом корпусе (Air Cavity). Требует пересмотра платы.
    • Ampleon имеет множество аналогов в диапазоне 80-120 Вт, но не всегда с таким же широким частотным диапазоном.
  • STMicroelectronics:

    • PD57070S-E — Мощный LDMOS транзистор, но с другими частотными и мощностными характеристиками. Не является прямым аналогом, но может использоваться в схожих приложениях.
  • Microsemi (Macom):

    • MRA-2023-230 — Это уже не транзистор, а готовый усилительный модуль (Power Module) на 80 Вт, 2-30 МГц. Прямой заменой не является, но решает ту же задачу в более узком диапазоне, будучи полноценным функциональным блоком.
    • Macom предлагает множество LDMOS транзисторов (серии MRF), но после покупки активов у NXP/Freescale. Модель с идентичным номером может выпускаться под брендом Macom.

Важные замечания по применению

  1. Схема согласования: Для работы MRF8P23080HS обязательно требуется внешняя ВЧ-схема согласования (matching circuit), как на входе, так и на выходе. Ее параметры зависят от конкретной рабочей частоты.
  2. Статическое электричество: LDMOS транзисторы очень чувствительны к электростатическому разряду (ESD). Необходимо соблюдать все меры предосторожности при монтаже.
  3. Теплоотвод: Из-за высокой рассеиваемой мощности (до 30-40 Вт) качественный радиатор и правильный монтаж (с использованием теплопроводной пасты) критически важны для надежности.
  4. Смещение (Bias): Требуется правильно организованная цепь смещения для работы в классе AB.
  5. Документация: При проектировании необходимо использовать официальный даташит (Datasheet) NXP и Application Notes (например, AN1308, AN1309), где приведены типовые схемы включения и рекомендации по топологии печатной платы.

Рекомендация: При поиске замены или аналога всегда начинайте с официальных ресурсов NXP и Ampleon. Для критичных применений лучшим решением является использование оригинального компонента MRF8P23080HS или его прямой модификации от NXP.

Товары из этой же категории