Infineon 9280

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового полупроводникового модуля Infineon 9280.

Описание

Модуль Infineon TrenchSTOP™ IGBT в 7-м корпусе (серия 9280, например, IKW75N60T) — это популярный силовой модуль, предназначенный для использования в импульсных источниках питания, индукционных нагревателях, сварочных аппаратах и системах управления двигателями.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология TrenchSTOP™: Позволяет достичь оптимального баланса между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и низкими динамическими потерями при переключении. Это повышает общую эффективность системы и снижает тепловыделение.
• Быстрый и мягкий диод: В модуль интегрирован антипараллельный диод с мягким восстановлением (soft recovery). Это минимизирует выбросы напряжения и электромагнитные помехи (EMI) во время коммутации, что упрощает проектирование схемы и повышает ее надежность.
• Низкое падение напряжения на диоде (Vf): Способствует снижению потерь в режиме свободного хода (freewheeling).
• Высокая стойкость к перенапряжениям: Обладает высокой способностью к безопасной работе в области пробоя (RBSOA), что обеспечивает надежность при работе в жестких условиях.
• Корпус TO-247: Стандартный и удобный для монтажа корпус, обеспечивающий хороший отвод тепла.
• Изолированный фланец: Позволяет монтировать модуль на общий радиатор без необходимости использования изолирующих прокладок (если не требуется электрическая изоляция между несколькими модулями), что улучшает тепловые характеристики.

Основное применение: Эти модули идеально подходят для мощных преобразователей частоты, сварочного оборудования, источников бесперебойного питания (ИБП) и систем индукционного нагрева, где требуются высокая эффективность и надежность.

Технические характеристики (на примере IKW75N60T)

• Семейство: TrenchSTOP™ 7
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 600 В
• Постоянный ток коллектора (Ic) при 100°C: 75 А
• Импульсный ток коллектора (Icm): 150 А
• Падение напряжения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): типично 1.7 В (при Ic=75A, Vge=15V)
• Напряжение насыщения диода (Vf): типично 2.1 В (при If=75A)
• Энергия включения (Eon) / выключения (Eoff): Низкие значения, обеспечивающие малые потери при переключении.
• Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): ~0.3 К/Вт
• Максимальная температура перехода (Tvj(max)): +175 °C
• Корпус: TO-247

Парт-номера (Part Numbers)

Серия 9280 включает в себя множество моделей с разными номиналами по току и напряжению. Вот наиболее распространенные парт-номера:

• IKW30N60T - 30A, 600V
• IKW40N60T - 40A, 600V
• IKW50N60T - 50A, 600V
• IKW75N60T - 75A, 600V (самый популярный в серии)
• IKW15N65ET5 - 15A, 650V (более новое поколение)
• IKW25N65ET5 - 25A, 650V
• IKW40N65ET5 - 40A, 650V

Примечание: Модели с суффиксом ET5 относятся к более новой технологии TrenchSTOP™ 5, которая обладает еще более высокими характеристиками. Они часто являются прямыми или улучшенными аналогами моделей серии T.

Совместимые модели и аналоги

Модули серии 9280 являются частью конкурентного рынка, и у других производителей есть прямые или близкие аналоги. При замене всегда сверяйтесь с даташитом, обращая внимание на распиновку и характеристики.

Прямые аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics:
  • STGW75H60DFB (75A, 600V, с быстрым диодом)
• Fuji Electric:
  • 2MBI75N-060 (модуль с двумя IGBT в одном корпусе, но с схожими характеристиками на ключ)
• Mitsubishi Electric:
  • CM75TU-12T (модуль с двумя IGBT, аналогично Fuji)

Условно-совместимые / Аналоги для замены (требуют проверки по даташиту):

• International Rectifier (IR):
  • IRGP75B60PD1 (технология HEXFET, может отличаться по динамическим характеристикам)
• ON Semiconductor (Fairchild):
  • FGH75N60SMD (технология Super Junction MOSFET, имеет принципиально иные характеристики управления, но используется в схожих применениях)

Важное замечание по замене

При поиске аналога или замены для Infineon 9280 (IKW75N60T) критически важно учитывать не только основные параметры (Vces, Ic), но и:

1. Характеристики переключения (Eon, Eoff): Несовпадение может привести к перегреву или пробою.
2. Параметры встроенного диода (trr, Vf): Влияют на EMI и потери.
3. Распиновку (Pinout): Разное расположение выводов Gate, Collector, Emitter сделает замену невозможной без переделки платы.
4. Рекомендуемое напряжение затвора (Vge): Хотя обычно это +15В, всегда лучше проверить.

Рекомендуется использовать официальные кросс-референс-базы (cross-reference databases) или консультироваться с техническими специалистами перед заменой.