Infineon 2N0609

Infineon 2N0609 – Описание и технические характеристики

Описание

Infineon 2N0609 – это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, управлении двигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая эффективность
• Защита от статического электричества

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Ед. изм. |
|-------------------------|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET | – |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 60 | В |
| Макс. ток стока (ID) при 25°C | 9 | А |
| Макс. импульсный ток (IDM) | 36 | А |
| Сопротивление открытого канала (RDS(on)) при VGS=10V | 0.06 | Ом |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2–4 | В |
| Макс. мощность рассеивания (PD) | 45 | Вт |
| Корпус | TO-252 (DPAK) | – |
| Рабочая температура | -55…+150 | °C |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера (альтернативные модели от других производителей):

• STMicroelectronics – STP60N06
• ON Semiconductor – NTD60N06
• Vishay – SUP60N06
• Fairchild (ON Semi) – FQP60N06

Аналоги с похожими характеристиками:

• IRFZ44N (55 В, 49 А, RDS(on) = 0.022 Ом) – более мощный аналог
• IRLZ44N (55 В, 47 А, логический уровень)
• IPD60N06S4 (60 В, 60 А, RDS(on) = 0.006 Ом) – более новый аналог

Если вам нужен точный аналог, лучше ориентироваться на параметры VDS, ID и RDS(on).

Примечание: Перед заменой проверяйте распиновку и режимы работы, так как некоторые аналоги могут иметь отличия в характеристиках.

Если требуется дополнительная информация по применению или даташит, уточните!