Infineon BCR141E6327

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon BCR141E6327.

Описание и применение

BCR141E6327 — это кремниевый NPN-транзистор Дарлингтона с внутренними резисторами, предназначенный для цифровых и импульсных применений. Его ключевая особенность — встроенные резисторы на кристалле, что делает его идеальным решением для прямого подключения к выводам микроконтроллеров, логическим схемам (CMOS, TTL) или драйверам без необходимости использования внешних токоограничивающих резисторов в цепи базы.

• Основное назначение: Управление маломощными нагрузками, такими как реле, светодиоды, небольшие двигатели, соленоиды, лампы.
• Ключевое преимущество: Максимальная простота схемы. Для работы требуется всего два внешних компонента: нагрузка и сам транзистор.
• Исполнение: Выпускается в миниатюрном SOT-23 корпусе, что позволяет экономить место на печатной плате.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

Абсолютные максимальные режимы (Absolute Maximum Ratings):

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): -50 В
• Напряжение коллектор-база (Vcbo): -50 В
• Напряжение эмиттер-база (Vebo): -12 В
• Ток коллектора (Ic): 600 мА (макс. постоянный)
• Ток коллектора импульсный (Icm): 1 А
• Рассеиваемая мощность (Ptot): 330 мВт (при температуре корпуса до 25°C)
• Температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C
• Температура хранения (Tstg): от -55 до +150 °C

Основные электрические параметры (при Tj = 25°C):

• Коэффициент усиления по току (hFE, DC Current Gain):
  • Min: 350 (при Ic=10 мА, Vce=2 В)
  • Typ: 500
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)):
  • Max: 0.9 В (при Ic=100 мА, Ib=0.5 мА)
  • Typ: 0.5 В
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)):
  • Max: 1.5 В (при Ic=350 мА, Ib=1.75 мА)
• Встроенные резисторы:
  • Резистор между базой и эмиттером (R1): 10 кОм ± 30%
  • Резистор между базой и внешним выводом (R2): 10 кОм ± 30%
  • Назначение R1: шунтирует ток утечки для надежного закрытия. R2: ограничивает ток базы.
• Время переключения:
  • Время задержки включения (td(on)): 40 нс (тип.)
  • Время нарастания (tr): 60 нс (тип.)
  • Время задержки выключения (td(off)): 400 нс (тип.)
  • Время спада (tf): 80 нс (тип.)

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги и вторые источники (Drop-in Replacements):

Эти модели имеют идентичную цоколевку (SOT-23) и полностью аналогичные характеристики, включая встроенные резисторы 10 кОм + 10 кОм.

• Nexperia: BCR141, BCR141E6327HTSA1 (самый распространенный аналог)
• Diodes Incorporated: BCR141E6327HTSA1 (производится по лицензии)
• ON Semiconductor: BCR141 (снят с производства, но может встречаться)
• STMicroelectronics: Аналогичной модели с такими же резисторами в линейке нет.

2. Функционально совместимые модели (с встроенными резисторами):

Модели из той же серии или с аналогичной функциональностью, но могут иметь отличающиеся номиналы встроенных резисторов. Требуется проверка datasheet!

• BCR142 / BCR142E6327: NPN Дарлингтона с резисторами 4.7 кОм + 4.7 кОм. Имеет больший базовый ток и меньшее напряжение насыщения при высоких токах нагрузки.
• BCR145 / BCR145E6327: NPN Дарлингтона с резисторами 1 кОм + 1 кОм. Для применения с более слабыми выходными токами драйверов.
• BCR135 / BCR135E6327: PNP-версия транзистора Дарлингтона с резисторами 10 кОм+10 кОм.
• FMMT617 / FMMT618 (Diodes Inc.): NPN Дарлингтона с резисторами (номиналы различаются).
• Серия UNL (Rohm): Например, UNL1211 (NPN, резисторы 10кОм+10кОм).
• Серия DTC (Rohm): Например, DTC143E (NPN, резисторы 4.7кОм+4.7кОм, цифровая транзисторная логика).

3. Импортные аналоги (производства СНГ):

Прямых отечественных аналогов со встроенными резисторами не существует. Можно заменить сборкой из дискретного транзистора Дарлингтона (например, КТ829, КТ972) и двух внешних резисторов на 10 кОм, но это увеличит габариты и сложность монтажа.

Распиновка (Pinout) корпуса SOT-23

При взгляде на маркировку плоской стороной вниз:

1. Эмиттер (E)
2. База (B)
3. Коллектор (C)

Важно: Всегда сверяйтесь с datasheet конкретного производителя перед заменой, особенно если схема работает на граничных параметрах.