Infineon BDP947

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Infineon BDP947.

Общее описание

Infineon BDP947 — это высоковольтный (HV) силовой транзистор типа N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P7. Этот транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением, таких как Flyback (обратноходовой преобразователь), Forward (прямоходовой) и PFC (корректор коэффициента мощности).

Ключевая идея технологии CoolMOS™ P7: Достижение экстремально низкого сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) при минимальном значении заряда затвора (Qg) и заряда выходной емкости (Eoss). Это обеспечивает высокий КПД, снижение электромагнитных помех (EMI) и позволяет работать на повышенных частотах коммутации, что ведет к уменьшению габаритов пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).

Основные области применения:

• Импульсные блоки питания (SMPS) для ПК, серверов, телевизоров, мониторов.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в критическом режиме (CrM).
• Преобразователи для освещения (LED драйверы).
• Источники питания для бытовой электроники и промышленного оборудования.

Технические характеристики (кратко)

• Технология: CoolMOS™ P7
• Тип: N-канальный MOSFET
• Структура: Супер junction (суперсоединение)
• Корпус: TO-220 (самый распространенный для этого номера)
• Полярность: Enhancement Mode (нормально закрытый)

Ключевые электрические параметры (типовые/макс.):

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 700 В | Максимальное допустимое | | Сопротивление в открытом состоянии | R_DS(on) | 0,450 Ом (макс.) | При V_GS=10В, I_D=3.4А | | Постоянный ток стока | I_D | 5,5 А | При T_C=25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 22 А | - | | Заряд затвора | Q_g | 21 нКл (тип.) | Ключевой параметр для драйвера | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3,0 - 5,0 В | - | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 50 Вт | На изолированном радиаторе | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | - |

Важные особенности:

• Высокая стойкость к dv/dt: Устойчивость к быстрым изменениям напряжения.
• Отличное соотношение R_DS(on) * Q_g: Показатель эффективности для высокочастотных применений.
• Интегрированный обратный диод: Быстрый внутренний диод (Body Diode).

Парт-номера и аналоги

BDP947 — это базовый парт-номер Infineon. Полное обозначение на корпусе обычно включает в себя дополнительную маркировку, указывающую на дату производства и т.п.

Прямые аналоги и парт-номера в других корпусах от Infineon:

• IPD95R450P7 — Абсолютно тот же кристалл, но в более современном и компактном корпусе TO-220 FullPAK (изолированный от радиатора).
• IPP95R450P7 — Тот же кристалл в корпусе TO-220 Plus (с выводами, удобными для пайки).
• SPP95R450P7 — Тот же кристалл в корпусе D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа (SMD) с высокой рассеиваемой мощностью.

Совместимые / конкурирующие модели от других производителей:

• STMicroelectronics: STF7N95K5 (SuperMESH5 K5, 950V, 0.45 Ом), STW9N95K5.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCPF11N65 (SuperFET III, 650V, но часто используется в тех же схемах), FCPF11N60.
• Toshiba: TK11A65W (DTMOS VI, 650V).
• Vishay (Siliconix): SUD95N08-45 (950V, 0.45 Ом).

ВАЖНО О ЗАМЕНЕ:

1. Напряжение: При замене убедитесь, что напряжение V_DSS аналога не ниже (желательно равно или выше).
2. Ток и сопротивление: Параметры I_D и R_DS(on) должны быть сопоставимы или лучше.
3. Динамические параметры: Для сохранения КПД и стабильности работы на высокой частоте критически важно сравнивать Q_g и E_oss. Замена на транзистор с большим зарядом может потребовать переделки драйвера затвора.
4. Распиновка и корпус: Всегда сверяйте цоколевку (pinout) и геометрию корпуса для монтажа.

Совместимые модели (для замены в схемах)

BDP947 часто используется в паре или может быть заменен на следующие модели в рамках одной линейки или для модернизации/ремонта:

• В семействе CoolMOS P7 700В:

  • BDP947 (0.450 Ом) — базовая модель.
  • BDP948 — как правило, имеет более низкое R_DS(on) (например, 0.390 Ом) при прочих равных, что повышает КПД.
  • BDP949 — может иметь более высокое напряжение (например, 800В) или другую комбинацию параметров для повышенной надежности в сетях с высокими скачками.

• Для ремонта или удешевления (с проверкой по даташиту):

  • BDP943 / BDP945 — обычно транзисторы с более высоким R_DS(on) (например, 0.55 - 0.65 Ом) от того же производителя. Замена возможна, но может привести к slightly повышенным потерям и нагреву.
  • STP9NK95Z / STP9NK90Z (STMicroelectronics) — популярные и доступные аналоги предыдущих поколений.
  • IRFB9N65A (International Rectifier) — классический и широко распространенный MOSFET.

Рекомендация: Для гарантированной совместимости, особенно в критичных по КПД или надежности устройствах (например, серверные БП), лучшей заменой является прямой аналог от Infineon — IPD95R450P7 или IPP95R450P7. Перед заменой всегда необходимо изучать даташит (datasheet) обоих компонентов и схему устройства.