Infineon BSM150GB120DN2B

Отличный выбор! BSM150GB120DN2B — это очень популярный и надежный IGBT-модуль от Infineon. Вот подробное описание, характеристики и информация по совместимости.

Краткое описание

Infineon BSM150GB120DN2B — это двухключевой (Dual) IGBT-модуль второго поколения (TrenchStop IGBT2) в классическом корпусе 34 мм. Он предназначен для использования в мощных инверторах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании и системах промышленного привода.

Модуль интегрирует в одном изолированном корпусе два силовых ключа (транзистора), каждый из которых представляет собой антипараллельную сборку IGBT и диода (так называемый "чопперный" модуль). Это позволяет легко строить мостовые схемы (полумосты).

Ключевые особенности:

• Низкие потери: Благодаря технологии TrenchStop и мягкому восстановлению диода Emitter Controlled.
• Высокая перегрузочная способность: Короткое время перегрузки по току (short circuit capability).
• Низкое внутреннее сопротивление: Прямое падение напряжения на IGBT (Vce(sat)) всего 1.8 В.
• Изолированный медный основание: Обеспечивает эффективный отвод тепла и простой монтаж на радиатор.
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры модуля.

Полные технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Класс напряжения (Vces) | 1200 | В | Напряжение коллектор-эмиттер | | Номинальный ток (Ic @ 80°C) | 150 | А | Ток коллектора при температуре корпуса 80°C | | Макс. импульсный ток (Icm) | 300 | А | | | Напряжение насыщения (Vce(sat) @ 150A) | 1.8 (тип.) | В | Прямое падение на IGBT, ключевой параметр потерь | | Прямое напряжение диода (Vf @ 150A) | 1.9 (тип.) | В | Падение на антипараллельном диоде | | Скорость переключения | Стандартная (NPT) | | Оптимизированы для работы на частотах до ~8-10 кГц | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 | К/Вт | Сопротивление кристалл-корпус (на ключ) | | Макс. рабочая температура (Tvj) | 150 | °C | Температура перехода | | Встроенный термистор | NTC (10 кОм при 25°C) | | Для контроля температуры | | Конструкция | Dual (2 в 1) | | Два ключа в одном корпусе, общий эмиттер | | Корпус | 34 мм, модуль с изолированным основанием | | Стандартный размер, требует пасты и зажима | | Вес | ~200 | г | |

Парт-номера и прямые аналоги

Производитель часто указывает разные парт-номера в зависимости от упаковки или небольших ревизий. Основной номер — BSM150GB120DN2B.

Важные примечания:

• Буква "B" в конце (DN2B) указывает на конкретную ревизию/версию модуля. Есть также версия BSM150GB120DN2 (без "B") — она является полным и прямым аналогом и взаимозаменяема в 99% случаев. Отличия могут быть в незначительных деталях процесса производства.
• BSM150GB120DLC — это модуль в корпусе с низкой индуктивностью (Low Inductance Case), предназначенный для высокочастотных применений. Не является прямым механическим аналогом, но электрически близок.

Совместимые модели и аналоги от других производителей:

При поиске аналога необходимо строго соблюдать ключевые параметры: 1200В, 150А, Dual, корпус 34мм.

| Производитель | Прямой аналог / Совместимая модель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Fuji Electric | 2MBI150N-120 (или 2MBI150N-120-50) | Самый популярный и доступный прямой аналог. Механически и электрически совместим. | | Mitsubishi Electric | CM150DU-12NFH или CM150DY-12NFH | Классические аналоги. Требуется проверка расположения контактов и крепежных отверстий (часто полная совместимость). | | SEMIKRON | SKM150GB12T4 | Аналог, также в корпусе 34 мм. | | IXYS (Littelfuse) | MIXA150W1200TED | |

Рекомендации по замене и использованию

1. Проверка распиновки (pin-to-pin): Перед заменой всегда сверяйте цоколевку (расположение силовых и управляющих выводов) по даташитам обоих модулей. У Fuji и Infineon она часто совпадает, но у Mitsubishi могут быть отличия.
2. Механический монтаж: Корпус 34 мм стандартный. Важно обеспечить равномерное давление на модуль при затяжке (рекомендуемый момент указан в даташите), использовать термопасту.
3. Драйверы: Для управления необходимы драйверы IGBT, обеспечивающие достаточный ток заряда/разряда затвора (обычно ±15..20В, пиковый ток >5А). Рекомендуется использовать с резисторами в цепи затвора Rg ~2.2-10 Ом.
4. Охлаждение: Модуль рассеивает значительную мощность. Необходим правильно рассчитанный радиатор с принудительным обдувом для работы на полном токе.

Где найти информацию:

• Даташит: Всегда ищите официальный даташит (DataSheet) на сайте Infineon по номеру BSM150GB120DN2.
• Модули в наличии: Данный модуль и его аналоги (особенно Fuji 2MBI150N-120) широко представлены на рынке и у крупных дистрибьюторов электронных компонентов.

Этот модуль зарекомендовал себя как "рабочая лошадка" для мощных преобразователей средней частоты, и при правильном применении обладает высокой надежностью.