Infineon BSM200GA170DN2

Отличный выбор! BSM200GA170DN2 — это очень мощный и надежный IGBT-модуль от Infineon. Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Общее описание

Infineon BSM200GA170DN2 — это двухключевой IGBT-модуль (Dual IGBT module) второго поколения в популярном промышленном корпусе 62 мм (EconoDUAL™ 3). Он предназначен для использования в мощных трехфазных инверторах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных приводах.

Ключевые особенности:

• Высокая мощность: Номинальный ток 200 А и напряжение коллектор-эмиттер 1700 В делают его пригодным для сетей 690 В и выше.
• Технология TrenchStop: Обеспечивает низкие потери проводимости и переключения, высокую эффективность и меньший нагрев.
• Корпус EconoDUAL™ 3: Стандартизированный корпус с изолированной базовой пластиной для простого монтажа на радиатор.
• Встроенные диоды: Каждый IGBT-транзистор снабжен встречно-параллельным диодом (антипараллельный диод), что необходимо для индуктивных нагрузок (например, электродвигателей).
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры модуля и организации защиты от перегрева.
• Высокая перегрузочная способность: Может выдерживать кратковременные токи, значительно превышающие номинальный.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | 2 в 1 (Dual) | Два IGBT с диодами в одном модуле (полумост) | | Корпус | EconoDUAL™ 3 (62mm) | | | Напряжение VCES | 1700 В | Напряжение коллектор-эмиттер | | Номинальный ток IC @ 80°C | 200 А | Ток коллектора при температуре корпуса 80°C | | Ток импульса ICRM | 400 А | Максимальный кратковременный импульсный ток | | Напряжение насыщения VCE(sat) | ~ 2.55 В (тип.) | Падение напряжения в открытом состоянии при номинальном токе | | Падение на диоде VF | ~ 2.15 В (тип.) | Прямое падение напряжения на встроенном диоде | | Скорость переключения | Высокая | Оптимизированы для частот 2-8 кГц (и выше) | | Тепловое сопротивление Rth(j-c) | 0.075 К/Вт (тип.) | Сопротивление кристалл-корпус (на ключ) | | Макс. температура перехода Tj | +150 °C | Максимальная температура кристалла | | Встроенный термистор | Да, NTC | Сопротивление (при 25°C) обычно 2.5 кОм | | Степень изоляции | 2500 В (эфф.) | Изоляция между кристаллами и базовой пластиной | | Вес | ~ 240 г | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальное полное название от Infineon именно BSM200GA170DN2. Однако, в зависимости от уровня изоляции и упаковки, могут встречаться вариации. Этот модуль также является частью более крупных семейств.

1. Прямые аналоги и замены от Infineon (с учетом модификаций):

• BSM200GA170DN2E3061 — Вероятно, полный парт-номер с указанием изоляции и упаковки.
• Модули из той же серии BSMxxxGA170DN2, где xxx — номинальный ток (например, BSM150GA170DN2, BSM300GA170DN2).
• BSM200GB170DN2 — Аналог от более новой серии. Важно: Буква "B" вместо "A" указывает на более новое поколение IGBT (IGBT4 TrenchStop 4), которое имеет лучшие характеристики (меньшие потери). Является рекомендуемой модернизацией, если позволяет разводка платы (может требовать проверки по даташиту).

2. Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей: Модули в корпусе EconoDUAL™ 3 являются отраслевым стандартом. Прямые аналоги по корпусу и характеристикам можно найти у других ведущих брендов. Внимание: При замене необходимо сверяться с даташитами по распиновке, характеристикам переключения и механическим размерам.

• SEMIKRON: Модули серии SKiiP 242GD172-4DW или SKM200GB17E4 (в корпусе Semitrans).
• Fuji Electric: Модули серии 2MBI200XV-170-50.
• Mitsubishi Electric: Модули серии CM200DY-34A (CM200DY-34S).
• Hitachi (ныне часть Mitsubishi Electric): Аналогичные серии.

Важные замечания по применению и замене

1. Не является прямым дроп-ин аналогом для всех: Несмотря на одинаковый корпус, распиновка (pinout) у разных производителей может отличаться. Всегда проверяйте распиновку перед заменой.
2. Поколения IGBT: Серии "GA" (IGBT3) и "GB" (IGBT4) от Infineon имеют разную динамику. Замена на более новое поколение ("GB") обычно улучшает параметры, но может потребовать корректировки драйверов из-за разной требуемой емкости затворного заряда (Qg).
3. Драйверы: Для управления модулем необходим силовой драйвер IGBT, способный работать с напряжением 1700В, обеспечивающий достаточный ток затвора и имеющий защиту от КЗ, перегруза и "прострела" (shoot-through).
4. Охлаждение: Обязательно использование качественного радиатора с теплопроводной пастой. Монтажный момент винтов критически важен и указан в документации.
5. Документация: Всегда работайте с официальным даташитом (Datasheet) на Infineon BSM200GA170DN2 для получения точных и полных данных.

Рекомендация: При поиске замены или аналога в первую очередь рассматривайте более новую версию от Infineon — BSM200GB170DN2. Если требуется кросс-брендовая замена, тщательно сравнивайте электрические и механические характеристики, а также схемы подключения.