Infineon BSM50GB120DN2

Отличный выбор! BSM50GB120DN2 — это очень популярный и надежный IGBT-модуль от Infineon. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание

BSM50GB120DN2 — это двухключевой (Dual) IGBT-модуль второго поколения (TrenchStop IGBT2 и Emitter Controlled Diode2) в классическом корпусе 34 мм. Он предназначен для построения силовых двухуровневых инверторных плечей (полумостей) в мощных промышленных приводах, источниках бесперебойного питания (ИБП), инверторах для солнечной и ветровой энергетики, а также сварочном оборудовании.

Ключевые особенности:

• Низкие потери: Комбинация TrenchStop IGBT и диода с контролируемой рекомбинацией (Emitter Controlled Diode) обеспечивает оптимальный баланс между потерями при проводимости и коммутационных потерях.
• Высокая перегрузочная способность: Короткозамкнутая нагрузка выдерживается в течение 10 мкс (при условии правильного охлаждения).
• Прямое падение напряжения (Vce(sat)): Имеет положительный температурный коэффициент, что облегчает параллельное соединение модулей для увеличения мощности.
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры модуля.
• Высокая изоляция: Сопротивление изоляции > 4 кВ (силовые выводы от базовой пластины).
• Индустриальный стандарт: Широко распространенный корпус и цоколевка, что упрощает замену и проектирование.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | Два транзистора в полумостовом включении (2-in-1, Dual) | | | Корпус | модуль 34mm, с изолированной базовой пластиной | | | Коллектор-Эмиттер напряжение | Vces = 1200 В | Максимальное обратное напряжение | | Постоянный ток коллектора (при Tc=80°C) | Ic = 50 А | Для каждого IGBT в модуле | | Импульсный ток коллектора | Icm = 100 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Vce(sat) ≈ 2.05 В (тип., при Ic=50A, Vge=15V) | | | Падение на внутреннем диоде | Vf ≈ 1.7 В (тип., при If=50A) | | | Энергия включения/выключения | Eon ≈ 12 мДж, Eoff ≈ 8 мДж (тип.) | Зависит от условий теста | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) = 0.35 К/Вт (на один IGBT/диод) | | | Максимальная температура перехода | Tvj max = 150 °C | | | Напряжение управления затвором | Vge = ±20 В (макс.), ±15 В (рекоменд.) | | | Встроенная защита | NTC-термистор (B57861S0103F040, 10 кОм при 25°C) | Для контроля температуры | | Вес | ~ 110 г | |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Этот модуль имеет несколько вариантов маркировки и множество аналогов от других производителей.

1. Прямые аналоги Infineon (тот же модуль, другая маркировка):

• BSM50GB120DN2K — часто используется как полный номер в спецификациях и системах поиска.
• BSM50GB120DN2KFKSA1 — номер, включающий информацию о лотке и упаковке.

2. Функционально и конструктивно аналогичные модели (с возможной прямой заменой "pin-to-pin"):

Перед заменой обязательно сверяйте даташиты, особенно по напряжениям затвора, внутренней разводке и механическим размерам.

• Fuji Electric: 2MBI50N-120 (серия 2MBI50N-120-*)
• Mitsubishi Electric: CM50DY-12H (CM50DY-12S) — один из самых известных прямых аналогов.
• SEMIKRON: SKM50GB12T4 (SKM50GB12*)
• Powerex (Mitsubishi): CM50DY-12H
• Hitachi: Не имеет прямого аналога в современных линейках, но старые серии (например, MBN) могли быть совместимы.

3. Модули с улучшенными параметрами (новые поколения от Infineon):

Эти модули могут иметь тот же корпус и цоколевку, но использовать более современные чипы (IGBT4, IGBT7). Они обычно имеют более низкие потери.

• BSM50GB120DLC (серия EconoDUAL™ 3 с IGBT4 и диодом CAL4) — прямая модернизация с лучшими характеристиками. Часто рекомендуется для новых проектов.
• BSM50GAL120DN2 (с диодами SiC для сверхбыстрой коммутации).

Важные замечания при замене:

1. Механическая совместимость: Модули в корпусе 34 мм (EconoDUAL™, стандарт 34mm) обычно взаимозаменяемы по креплению и расположению силовых выводов.
2. Электрическая совместимость: Всегда проверяйте:
   • Рекомендуемое напряжение на затвор (Vge).
   • Внутреннюю индуктивность и номиналы встроенных диодов.
   • Параметры NTC-термистора (сопротивление, кривая).
3. Тепловой интерфейс: При замене всегда используйте новую теплопроводную пасту или прокладку.
4. Крепление: Момент затяжки винтов критически важен (обычно указан в даташите, например, 2.5 Н·м). Используйте динамометрический ключ.

Рекомендация: Для новых разработок рассмотрите возможность использования более современного модуля BSM50GB120DLC. Для ремонта существующей аппаратуры BSM50GB120DN2 и его прямые аналоги (особенно CM50DY-12H от Mitsubishi) являются отличным выбором. Всегда ориентируйтесь на официальный даташит.