Infineon BSM50GD120DN2

Infineon BSM50GD120DN2 – Описание и технические характеристики

Описание

BSM50GD120DN2 – это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для мощных силовых приложений. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами, собранные в стандартном корпусе, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Основные характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | Двухканальный IGBT (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при T_c=80°C) | 50 А | | Пиковый ток (I_CM) | 100 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2,1 В (при 50 А) | | Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для инверторов) | | Диод обратного восстановления | Встроенный (Fast Recovery Diode) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | 34 мм (стандартный, изолированный) | | Вес | ~150 г |

Совместимые и альтернативные модели

Парт-номера Infineon

• BSM35GD120DN2 (35 А, 1200 В)
• BSM75GD120DN2 (75 А, 1200 В)
• BSM100GD120DN2 (100 А, 1200 В)

Аналоги от других производителей

• Mitsubishi: CM50DY-24H (50 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI50N-120 (50 А, 1200 В)
• Semikron: SKM50GB12T4 (50 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Модуль BSM50GD120DN2 обеспечивает высокую надежность и эффективность благодаря низким потерям при переключении и хорошему теплоотведению.

Если нужна дополнительная информация (например, схема подключения или графики характеристик), уточните!