Infineon BSO304SN

Отличный выбор! Infineon BSO304SN — это популярный и надежный силовой MOSFET-транзистор, широко используемый в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, цепях управления двигателями и как ключ высокой мощности.

Вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги.

Краткое описание

BSO304SN — это N-канальный MOSFET с логическим уровнем затвора, выполненный в компактном и эффективном корпусе TO-252 (DPAK). Его ключевые преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Высокий непрерывный ток: Позволяет коммутировать значительные нагрузки.
• Компактный корпус DPAK: Оптимальное соотношение габаритов и рассеиваемой мощности.
• Логический уровень управления (Logic Level): Полностью открывается при напряжении на затворе всего 4.5В - 10В, что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (GPIO 3.3В или 5В) без дополнительных драйверов.
• Быстрое переключение: Подходит для ШИМ-управления на средних частотах.

Основное применение:

• Импульсные источники питания (низковольтные силовые каскады).
• DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие).
• Управление нагрузками: двигатели, соленоиды, светодиодные ленты.
• Силовые ключи в автомобильной и промышленной электронике.
• Цепи защиты (eFuse, активная обратная полярность).

Технические характеристики (ТТХ)

В таблице ниже приведены ключевые параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | - | N-Channel Logic Level MOSFET | - | | Корпус | - | TO-252 (DPAK) | Пластиковый, с теплоотводящей площадкой | | Структура | - | OptiMOS™ 5 | Технология Infineon, обеспечивающая низкое Rds(on) | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 30 В | Максимальное допустимое напряжение | | Непрерывный ток стока | I_D | 90 А | При T_c = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 360 А | - | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | ~1.7 мОм | Типовое, при V_GS = 10 В | | | | ~2.1 мОм | Максимальное, при V_GS = 10 В | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.8 - 3.2 В | Типовое ~2.5 В | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | V_GSS | ±20 В | - | | Общий заряд затвора | Q_g | ~50 нКл | Влияет на скорость переключения | | Рассеиваемая мощность | P_tot | ~83 Вт | При T_c = 25°C (зависит от теплоотвода) | | Диод "сток-исток" | - | Встроенный body-diode | Параметры: I_SD = 45 А, V_SD ~ 1.2 В |

Важные примечания:

• Мощность рассеивания (P_tot) на практике сильно зависит от качества теплоотвода (радиатора) и площади медной площадки на печатной плате.
• Для эффективной работы на высоких токах обязательно требуется обеспечить хороший отвод тепла.

Парт-номера и полное обозначение

• Полное коммерческое обозначение: IPB030N04S3-02R2
  • Именно этот код содержит полную спецификацию кристалла (OptiMOS™ 5, 30В, 1.7мОм и т.д.).
• Маркировка на корпусе (Top Mark): BSO304SN
  • Это сокращенный код, по которому чаще всего ищут компонент.
• Порядковый номер (Ordering Code): IPB030N04S3-02R2ATMA1

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске аналога важно смотреть на ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on), корпус и заряд затвора (Q_g).

Прямые или очень близкие аналоги от других производителей:

| Производитель | Парт-номер | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | SQJ290EP-T1_GE3 | Очень близкие параметры, тот же корпус DPAK. | | ON Semiconductor | NTMFS4H02SN3T1G | Аналогичные характеристики, хорошая замена. | | STMicroelectronics | STL220N4F3 | Мощный аналог в корпусе DPAK. | | Nexperia | PSMN3R0-30YLE | Хороший аналог с низким Rds(on). | | Alpha & Omega Semiconductor| AONR21357 | Близкий аналог. |

Аналоги от Infineon в других корпусах (с похожими параметрами):

• IPB030N04S3-02R2 (тот же кристалл, разные корпуса):
  • TO-263 (D2PAK): IPB030N04S3-02R2
  • TO-220: IPP030N04S3-02R2
  • S3 O8 (PG-TSDSON-8): IRX030N04S3

Что важно при замене:

1. Распиновка (Pinout): У всех аналогов в корпусе DPAK стандартная распиновка (1-Затвор, 2-Сток через площадку, 3-Исток).
2. Параметры переключения: Если работа идет на высоких частотах (сотни кГц), нужно сравнивать заряды затвора (Q_g) и внутренние емкости (C_iss, C_oss, C_rss).
3. Тепловые характеристики: Могут незначительно отличаться.

Рекомендация: Всегда обращайтесь к актуальным даташитам (datasheet) как оригинальной детали, так и выбранного аналога перед заменой в критичных узлах схемы.