Infineon BSP315P
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon BSP315P
Отличный выбор! Infineon BSP315P — это классический и очень популярный P-канальный MOSFET для управления нагрузками, особенно в автомобильных и промышленных приложениях. Вот подробное описание и вся ключевая информация о нем.
Краткое описание
Infineon BSP315P — это P-канальный Power MOSFET, выполненный в компактном корпусе SOT-223. Он предназначен для коммутации низковольтных нагрузок с высоким током.
Его ключевая "фишка" — очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при напряжении затвора всего -4.5В или -10В. Это позволяет эффективно управлять мощными нагрузками (например, лампы, моторы, соленоиды) с минимальными потерями и нагревом, используя стандартные уровни логики микроконтроллеров (5В или 3.3В).
Основное применение:
- Управление нагрузкой по шине 12V (автомобильная электроника, системы управления).
- High-side switch (ключ на "плюсовом" проводе) — это его наиболее частая роль, так как P-канальный MOSFET идеально подходит для этой задачи.
- DC-моторы, лампы накаливания, реле, подогревы.
- Системы питания с функцией включения/выключения (Power Switching).
Технические характеристики (ТТХ)
Приведены типовые/максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное.
| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | P-канальный MOSFET | — | | Корпус | — | SOT-223 | — | | Стандарт | — | Logic Level (низкопороговый) | — | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | -60 В | Максимальное | | Постоянный ток стока | ID | -3.5 А | При TC=25°C | | Импульсный ток стока | IDM | -14 А | — | | Сопротивление открытого канала | RDS(on) | 0.12 Ом | VGS = -10 В, ID = -3.5 А | | | | 0.18 Ом | VGS = -4.5 В, ID = -2.5 А | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | -1.0 ... -2.0 В | ID = -250 мкА | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | VGSS | ±20 В | — | | Общий заряд затвора | Qg | 18 нКл (тип.) | VGS = -10 В | | Рассеиваемая мощность | Ptot | 2.5 Вт | На плате с медной площадкой ≥ 6 см² | | Температура перехода | Tj | -55 ... +150 °C | — | | Температура хранения | Tstg | -55 ... +150 °C | — |
Ключевые преимущества:
- Logic Level: Полностью открывается при напряжении затвора -4.5В, что позволяет напрямую управлять от 5В логики микроконтроллера без дополнительных драйверов.
- Низкое Rds(on): Всего 0.18 Ом при -4.5В, что минимизирует падение напряжения и нагрев.
- Компактность: Корпус SOT-223 — хороший баланс между мощностью и размерами.
- Высокое напряжение: 60В обеспечивает хороший запас для 12В и 24В систем.
Part Number (Парт-номера) и аналоги
Оригинальные парт-номера Infineon:
- BSP315P — основной и полный номер.
- Иногда может встречаться с суффиксами, указывающими на упаковку (например, на ленте и катушке).
Прямые аналоги и совместимые модели (Drop-in Replacement):
Эти транзисторы имеют идентичную цоколевку (SOT-223) и очень близкие характеристики, что позволяет использовать их как прямую замену без изменений в схеме. Все — P-канальные, Logic Level.
| Производитель | Парт-номер | Ключевые отличия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Infineon | BSP316P | "Старший брат". VDSS = -80В, RDS(on) чуть ниже. Часто используется как усиленная замена. | | STMicroelectronics | STD12PF06 | Очень популярный аналог. VDSS = -60В, ID = -12А (пиковый), RDS(on) ~0.18 Ом. | | Vishay / Siliconix | Si2345DS | VDSS = -60В, ID = -4.3А, RDS(on) ~0.1 Ом. Отличный аналог. | | ON Semiconductor | NTD4806N | VDSS = -60В, ID = -7.5А, RDS(on) ~0.024 Ом (супернизкое!). Более мощный. | | Diodes Incorporated | DMP2065U | VDSS = -60В, ID = -5.2А, RDS(on) ~0.065 Ом. | | Nexperia | PMV65XP | Современный аналог в корпусе SOT-223. VDSS = -60В, ID = -5.3А, RDS(on) ~0.06 Ом. |
Важные совместимые модели (требуют проверки распиновки!):
Эти транзисторы имеют схожие или лучшие параметры, но могут отличаться цоколевкой. Перед заменой обязательно сверяйтесь с даташитом!
- IRF9Z34N (International Rectifier) — классический TO-220, гораздо крупнее, но электрически совместим по управлению.
- FQP47P06 (Fairchild/ON Semi) — в корпусе TO-220.
- AOD442 (Alpha & Omega) — в корпусе SO-8, другая распиновка.
Рекомендации по применению
- Защитный диод: Встроенный body-diode присутствует, но он не быстрый. Для коммутации индуктивных нагрузок (моторы, реле) обязательно нужен внешний обратный диод, включенный параллельно нагрузке.
- Ограничительный резистор: Последовательно с затвором всегда ставьте резистор (например, 10-100 Ом) для подавления ВЧ-колебаний.
- Pull-up резистор: Между истоком и затвором (например, 10-100 кОм) необходим для гарантированного закрытия транзистора при старте МК или обрыве управляющего сигнала.
- Рассеивание тепла: При токах более 1-1.5А уже требуется внимательно относиться к тепловому режиму. Площадь медной полигона на плате под корпусом SOT-223 играет ключевую роль в охлаждении.
Вывод: Infineon BSP315P — это надежный, проверенный временем "рабочий" MOSFET для эффективного и простого управления мощными низковольтными нагрузками, особенно в роли высокоомного ключа. Благодаря логическому уровню управления и обилию аналогов, он остается одним из самых популярных решений в своем классе.