Infineon BSP50E6327

Infineon BSP50E6327
Артикул: 562472

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BSP50E6327

Отличный выбор! Infineon BSP50E6327 — это очень популярный и надежный защищенный силовой MOSFET-транзистор. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание и назначение

Infineon BSP50E6327 — это N-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-223, который сочетает в себе высокую эффективность переключения и встроенную защиту от перенапряжений.

Его ключевая особенность — интеграция стабилитрона (ESD-диода) между стоком (D) и истоком (S). Этот стабилитрон выполняет две критически важные функции:

  1. Защита от статического электричества (ESD) по модели человеческого тела (HBM) до 2 кВ.
  2. Ограничение выбросов напряжения на стоке (V(DS) clamp), которые могут возникать из-за индуктивных нагрузок (например, реле, соленоиды, двигатели). Это избавляет разработчика от необходимости устанавливать внешний супрессорный диод, экономя место на плате и снижая стоимость сборки.

Основные области применения:

  • Коммутация индуктивных нагрузок: реле, соленоиды, клапаны, небольшие двигатели постоянного тока.
  • Управление питанием в потребительской электронике и бытовой технике.
  • DC-DC преобразователи (низковольтные стороны).
  • Импульсные регуляторы и драйверы.
  • Системы, где важна устойчивость к помехам и ESD.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Обозначение | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип канала | — | N-Channel | Enhancement Mode | | Корпус | — | SOT-223 | 4-й вывод — это фланец, электрически соединенный с истоком (S) | | Макс. напряжение | V_(DSS) | 50 В | Напряжение сток-исток (с учетом ограничения стабилитроном) | | Сопротивление канала | R_(DS(on)) | 0.27 Ом (макс.) | При V_(GS) = 10 В, I_D = 1.5 А | | Пороговое напряжение | V_(GS(th)) | 1.0 - 2.5 В | Тип. 1.8 В | | Макс. непрерывный ток | I_D | 1.5 А | При T_C = 25°C | | Макс. импульсный ток | I_(DM) | 6 А | | | Напряжение ограничения стабилитрона | V_(BR)DSS | 50 - 56 В | Стабилитрон начинает открываться в этом диапазоне | | Рассеиваемая мощность | P_(tot) | 1.8 Вт | При T_A = 25°C на бесконечном радиаторе | | Температура перехода | T_J | -55 ... +150 °C | |

Важное примечание по напряжению: Хотя максимальное напряжение V_(DSS) указано как 50 В, встроенный стабилитрон рассчитан на начало ограничения именно в этом диапазоне (50-56 В). Это означает, что транзистор предназначен для работы в цепях с напряжением питания значительно ниже 50В (например, 12В, 24В, 36В), а стабилитрон защищает от кратковременных опасных выбросов.


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор имеет несколько стандартных обозначений. В спецификациях и на корпусе часто пишут сокращенно.

Основной парт-номер:

  • BSP50E6327 — полное фирменное обозначение Infineon.
  • На корпусе маркируется как S50E.

Прямые аналоги и совместимые модели (с максимально близкими параметрами: 50В, ~0.27 Ом, SOT-223, защищенный):

  • Infineon (IR):
    • BSP52E6327 — практически полный аналог, немного другое сопротивление (0.33 Ом).
    • BSP50E6433 — более новая версия в корпусе SOT-223 (трехвыводной).
    • BSP50E — общее семейство.
  • STMicroelectronics:
    • STD5NK50Z-1 — очень популярный и распространенный аналог. Напряжение 50В, Rds(on) = 0.5 Ом. Часто используется как прямая замена.
    • STD4NK50Z — 50В, Rds(on) = 0.8 Ом.
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FDC5612P — P-канальный, но часто используется в схемах управления питанием.
    • NDT2955 — P-канальный.
    • Прямого N-канального аналога с ESD-защитой у ON Semi в SOT-223 под 50В не так много, часто предлагают BSP50E6327 как решение.
  • Vishay / Siliconix:
    • SQJ50E10-01L — в корпусе PowerPAK SO-8, но с лучшими характеристиками.
    • SiS442DYDY — в корпусе TSSOP-8.

Важные замечания по замене:

  1. STD5NK50Z-1 — самый частый и рекомендуемый аналог для прямой замены. Всегда проверяйте цоколевку (pinout).
  2. При замене обязательно сверяйте распиновку (pinout) корпуса SOT-223, особенно какой вывод является фланцем (часто это исток - S).
  3. Обращайте внимание на пороговое напряжение (V_(GS(th)), если вы работаете с низковольтным управлением (например, от 3.3В микроконтроллера). BSP50E6327 может не полностью открыться при 3.3В (типично для Logic-Level MOSFET).
  4. Для новых проектов стоит рассмотреть более современные аналоги в корпусах SO-8 или PowerPAK с лучшими характеристиками (ниже Rds(on), лучше тепловые свойства).

Итог

Infineon BSP50E6327 — это классический, проверенный временем защищенный MOSFET, идеальный для простых и надежных задач коммутации, особенно индуктивных нагрузок, в промышленной и бытовой электронике. Его главное преимущество — встроенная защита, повышающая надежность всей системы. При необходимости замены аналог STMicroelectronics STD5NK50Z-1 является наиболее очевидным и доступным вариантом.

Товары из этой же категории