Infineon BSS314PEH6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BSS314PEH6327XTSA1 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET, разработанный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он предназначен для приложений, требующих минимальных потерь проводимости и переключения, особенно в условиях низкого напряжения.

Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание и применение

BSS314PEH6327XTSA1 — это N-канальный силовой транзистор в компактном корпусе PG-TSDSON-8-19 (SuperSO8). Его ключевые особенности:

• Технология: OptiMOS™ 5. Пятое поколение MOSFET от Infineon, оптимизированное для высокой эффективности.
• Основное преимущество: Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при напряжении затвора 4.5 В и 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Ключевое применение: Идеально подходит для задач синхронного выпрямления в импульсных источниках питания (SMPS), DC-DC преобразователях, особенно в низковольтных высокотоковых цепях.
• Типичные сферы использования:
  • Вторичная сторона (low-side) синхронных выпрямителей в блоках питания серверов, телекоммуникационного оборудования.
  • ШИМ-контроллеры и преобразователи напряжения (например, 12В -> 1.8В, 3.3В, 5В).
  • Системы управления питанием материнских плат, графических карт.
  • Моторные драйверы с низким рабочим циклом.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | PG-TSDSON-8-19 (также известный как SuperSO8, PowerSO8) | Компактный, с термоподложкой для лучшего отвода тепла. | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 30 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить между стоком и истоком. | | Ток стока (I_D) | 100 А | Максимальный постоянный ток при T_C=25°C. | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 1.3 мОм (тип.) | При V_GS = 10 В, I_D = 50 А. Ключевой параметр! | | | 1.7 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 50 А. | | | 1.9 мОм (тип.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 50 А. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 1.7 - 2.35 В | Тип. ~2.0 В. Гарантирует уверенное открытие от стандартных логических уровней (3.3В, 5В). | | Заряд затвора (Q_g) | ~50 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В. Низкое значение упрощает управление и снижает динамические потери. | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.8 К/Вт | От перехода к корпусу. Очень низкое, благодаря корпусу с термоподложкой. |

Прямые аналоги и парт-номера (Cross-Reference)

Это популярная и распространенная деталь. Прямые функциональные аналоги с похожими или идентичными характеристиками:

От Infineon (внутренние аналоги/альтернативы):

• BSS314NH6327XTSA1 — Ближайший аналог. Может иметь незначительные отличия в тестовых параметрах или упаковке.
• IPD031N03L G — Модель из другой линейки Infineon (OptiMOS™), с очень близкими параметрами (RDS(on) ~1.4 мОм, VDS=30V). Часто используется как аналог.
• IPP030N03L G — Аналогично предыдущему.

От других производителей (совместимые модели):

• Nexperia PSMN1R3-30YLD — Один из самых популярных и доступных прямых аналогов. Идентичные характеристики и корпус.
• Vishay (SiS314DN) — Аналог от Vishay.
• ON Semiconductor (ныне onsemi) NVTFS1R3-30N — Прямой конкурент от ON Semi.
• STMicroelectronics STL1R3NLLH6 — Аналог от STM.
• Alpha & Omega Semiconductor AONR21357 — Еще один качественный аналог.

Важно: При замене всегда сверяйтесь с Datasheet конкретной модели, особенно обращая внимание на:

1. Распиновку (pinout) корпуса.
2. Значения RDS(on) при вашем рабочем напряжении затвора (4.5В или 10В).
3. Параметры внутренних диодов (если важно для вашего приложения).

Ключевые преимущества для проектирования

1. Высокая эффективность: Низкое RDS(on) и заряд затвора Qg напрямую увеличивают КПД конечного устройства.
2. Отличное теплоотведение: Корпус SuperSO8 с открытой термоподложкой позволяет эффективно отводить тепло на плату или радиатор.
3. Надежность: Технология OptiMOS™ 5 обеспечивает высокую стойкость к лавинным пробоям и перегрузкам.
4. Универсальность управления: Отлично открывается как от драйверов с напряжением 5В, так и 10-12В.

Где найти больше информации?

• Официальная страница продукта на сайте Infineon: Поиск по "BSS314PEH6327XTSA1".
• Datasheet: Обязательно скачайте техническое описание (даташит) с сайта Infineon или авторитетных дистрибьюторов (Mouser, Digi-Key, Farnell). Там содержится полная, актуальная и детальная информация.

Этот MOSFET является отраслевым стандартом для низковольтных высокотоковых приложений и имеет отличную доступность на рынке.