Infineon BSS315PH6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BSS315PH6327XTSA1 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET в компактном корпусе, разработанный для ключевых приложений с низким напряжением.

Описание и применение

BSS315PH6327XTSA1 — это N-канальный MOSFET с логическим уровнем затвора, что позволяет управлять им напряжением всего 5 В (и даже ниже) от стандартных микроконтроллеров (GPIO 3.3В или 5В). Это делает его идеальным для современных цифровых схем.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое пороговое напряжение (V_GS(th)): Позволяет полноценно открываться при 2.5-3.3 В.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): Очень малое значение (17 мОм при 10 В) минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
• Сверхмалый корпус SOT-23 (TSOP-6): Один из самых миниатюрных корпусов для таких задач, экономит место на печатной плате.
• Быстрое переключение: Подходит для широтно-импульсной модуляции (ШИМ) с умеренной частотой.
• Защитный диод: Встроенный обратный диод (body diode).

Типичные области применения:

• Коммутация нагрузки (DC-DC реле) в управлении двигателями, светодиодами, соленоидами.
• Ключи в цепях питания (power switches).
• Импульсные стабилизаторы (низковольтные).
• Схемы управления батарейным питанием.
• Порты ввода/вывода общего назначения (GPIO) микроконтроллеров.

Основные технические характеристики (Technical Specifications)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | — | N-канальный, Enhancement Mode | — | | Корпус | — | TSOP-6 (аналогичен SOT-23-6) | — | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 60 В | Максимальное | | Непрерывный ток стока | I_D | 5.8 А | При T_C = 25°C | | Сопротивление "сток-исток" | R_DS(on) | 17 мОм | V_GS = 10 В, I_D = 5.8 A | | | | 23 мОм | V_GS = 4.5 В, I_D = 4.5 A | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.35 - 2.35 В | I_D = 1 mA, V_DS = V_GS | | Напряжение "затвор-исток" | V_GSS | ±20 В | Максимальное | | Общий заряд затвора | Q_g | 12 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off) | 8 нс / 26 нс (тип.) | — | | Диод: прямое напряжение | V_SD | 1.2 В | I_SD = 5.8 A, V_GS = 0 V | | Температура перехода | T_J | -55 … +150 °C | — |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот компонент может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки (катушка, россыпь) или региональных обозначений. Основной номер — BSS315PH6327.

• Полное название для заказа: BSS315PH6327XTSA1
  • XT — обозначение корпуса TSOP-6.
  • SA1 — код упаковки (чаще всего, на катушке для автоматического монтажа, 3000 шт. в катушке).

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (Drop-in Replacement):

При поиске аналога необходимо сверять распиновку (pinout), так как в корпусе SOT-23-6 она может различаться!

С очень близкими или лучшими параметрами (60В, ~5А, логический уровень):

• Diodes Incorporated: DMN6068SE-13 (очень близкий аналог)
• Nexperia: PMN60UPE (логический уровень, 60В, 6.3А)
• ON Semiconductor: NTMFS5C604N (более мощный, 60В, 16А, но в корпусе SO-8)
• Vishay / Siliconix: SQJ460EP-T1_GE3 (60В, 6.5А)

Схожие по характеристикам, но требующие проверки распиновки:

• Alpha & Omega Semiconductor: AO3400A (более популярный, но на 30В, 5.8А)
• Infineon (другие модели в той же серии):
  • BSS138 — классика, но слабее (50В, 0.22А) для сигнальных цепей.
  • BSS123 — (100В, 0.17А) для слаботочных цепей.
  • IPD50N06S4-03 — (60В, 50А) — значительно мощнее, в корпусе TO-252.

Важное примечание по подбору аналога:

1. Всегда проверяйте datasheet! В первую очередь — распиновку (Pin Assignment).
2. Обращайте внимание на ключевые параметры для вашей задачи: Если вы коммутируете нагрузку с питанием 12-24В, критичны V<sub>DSS</sub> (60В) и I<sub>D</sub> (5.8А). Если управляете от 3.3В МК — критичен R<sub>DS(on)</sub> при V_GS=3.3В (в даташите 23 мОм при 4.5В — хороший показатель).
3. Корпус: TSOP-6/SOT-23-6 — мал, пайка требует аккуратности. Аналоги в корпусе SO-8 (например, SI2302) проще в ручном монтаже, но занимают больше места.

Вывод: BSS315PH6327XTSA1 — отличный современный MOSFET для компактных и эффективных низковольтных ключевых схем. При замене аналогом DMN6068SE-13 или PMN60UPE вероятность успеха наиболее высока, но проверка даташита обязательна.