Infineon BSS816NWH6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BSS816NWH6327XTSA1 — это высококачественный N-канальный MOSFET, оптимизированный для ключевых применений в источниках питания и управлении двигателями. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание и назначение

BSS816NWH6327XTS7A1 — это MOSFET в компактном и эффективном корпусе PG-TSDSON-8-2 (TSNP-8-2) с двумя выводами стока, что позволяет рассеивать большую мощность при малых габаритах. Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД.
• Низкий пороговый заряд затвора (Qg): Позволяет использовать простые и недорогие драйверы, снижает динамические потери на переключение.
• Высокая стойкость к лавинным пробоям (EAS): Повышает надежность в индуктивных нагрузках (например, управление двигателями).
• Логический уровень управления (Logic Level): Полностью открывается при напряжении на затворе 5В или 10В, что делает его идеальным для работы с микроконтроллерами (3.3В / 5В) без необходимости драйверов высокого напряжения.
• Назначение: Идеально подходит для применений в DC-DC преобразователях, модулях питания материнских плат и серверов, управлении двигателями (например, в охлаждающих вентиляторах), синхронном выпрямлении и системах управления батареями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия измерения / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Корпус | PG-TSDSON-8-2 (TSNP-8-2) | Компактный, с двумя выводами стока для лучшего теплоотвода | | Сток-исток напряжение (VDSS) | 60 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Ток стока (ID) | 17.5 А | Непрерывный ток при Tc=25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 8.2 мОм (макс.) | При VGS = 10 В | | | 11.5 мОм (макс.) | При VGS = 5 В (важно для логических уровней) | | | 16.5 мОм (макс.) | При VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.35 - 2.35 В | Типичное ~1.8 В (гарантирует открытие от 3.3В логики) | | Заряд затвора (Qg) | ~16 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Низкое значение для быстрого переключения. | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | ~3.1 Вт | Зависит от условий охлаждения и монтажа на плату. | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) | Параметры: If = 17.5 A, VSD ~ 1.3 В |

Ключевые преимущества:

• Эффективность: Низкие значения RDS(on) и Qg минимизируют потери.
• Надежность: Высокая стойкость к лавинным процессам (EAS > 150 мДж).
• Удобство применения: Логический уровень управления, корпус для поверхностного монтажа.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Важно: Указанный вами номер — это полный порядковый номер Infineon (Ordering Code). Его базовой частью является BSS816NH. Буквы в конце указывают на корпус, упаковку и т.д.

Прямые аналоги и альтернативы от других производителей (с похожими или лучшими параметрами):

1. Прямые аналоги (с максимально близкими характеристиками):

• Infineon BSS816NH — базовая модель в том же корпусе.
• Infineon BSS814NH — "младший брат", 40V, 20A, RDS(on) ~6.5 мОм.
• Vishay (SiR416DP): 60V, 17A, RDS(on)=8.0 мОм @10В, TSNP-8-2. Очень близкий аналог.
• Nexperia PSMN1R6-60YLH: 60V, 17A, RDS(on)=1.6 мОм @10В (гораздо лучше!). Корпус LFPAK56 (Power-SO8). Очень популярная и мощная альтернатива.
• STMicroelectronics STL160N6F7: 60V, 16A, RDS(on)=6.7 мОм @10В, PowerFLAT 5x6.

2. Совместимые / альтернативные модели (для замены в схемах, требует проверки по выводам):

• AOS (Alpha & Omega Semiconductor) AON6260: 60V, 17A, RDS(on)=6.2 мОм @10В, DFN5x6.
• Diodes Incorporated DMN6016KQ-7: 60V, 16A, RDS(on)=6.5 мОм @10В, PowerDI®5060-8.
• ON Semiconductor NVMFS5C404N: 40V, 16A, RDS(on)=4.0 мОм @10В, SO8-FL. (Если допустимо 40В вместо 60В).
• Rohm RV4C008SN: 60V, 15A, RDS(on)=8.0 мОм @10В, HSOP8.

Важные замечания при замене

1. Распиновка (Pinout): Внимательно сравнивайте распиновку! Корпус TSNP-8-2 и аналогичные (LFPAK, PowerFLAT) могут иметь разное расположение выводов затвора, истока и стока.
2. Параметры замены: Основные параметры для проверки — VDSS (должен быть не меньше), ID, RDS(on) (желательно не хуже), Qg (особенно важно для высокочастотных схем) и пороговое напряжение VGS(th).
3. Площадь теплоотвода: Разные корпусы имеют разную тепловую эффективность. При замене на модель в другом корпусе может потребоваться thermal analysis.

Рекомендация: Для подбора оптимального аналога всегда используйте параметрические поиски на сайтах дистрибьюторов (например, LCSC, Mouser, Digi-Key) или производителей, задавая ключевые параметры: VDSS=60V, ID > 15A, Logic Level, RDS(on) low. Указанный Nexperia PSMN1R6-60YLH часто является лучшим по соотношению цена/производительность в этом классе.