Infineon DD104N12K

Отличный выбор! Infineon DD104N12K — это мощный и надежный силовой транзистор, ключевой компонент в современных преобразователях энергии. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание и назначение

Infineon DD104N12K — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Это представитель линейки, задающей новые стандарты в эффективности и плотности мощности.

Основное назначение:

• Силовые преобразователи: Источники питания для серверов, телекоммуникационного оборудования, промышленных систем.
• Высокочастотные инверторы и преобразователи: Солнечные инверторы, сварочное оборудование, моторные приводы.
• Синхронное выпрямение: Вторичная сторона импульсных блоков питания (SMPS).
• DC-DC преобразователи: Как в высоко- (например, LLC-резонансные), так и в низковольтных цепях.

Ключевые преимущества технологии OptiMOS™ 5:

• Рекордно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на повышенных частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Отличное соотношение Qg * RDS(on): Оптимальный баланс между потерями на проводимость и потерями на переключение.
• Высокая стойкость к лавинным breakdown (UIS): Надежная работа в условиях импульсных перегрузок.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 100 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Непрерывный ток стока (ID @ 25°C) | 104 А | При температуре корпуса 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on) max) | 1.7 мОм | При VGS = 10 В. Ключевой параметр эффективности. | | Макс. импульсный ток стока (IDM) | 520 А | Кратковременная перегрузка по току | | Заряд затвора (Qg typ) | 115 нКл | Определяет требования к драйверу затвора | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.8 - 3.8 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться | | Макс. мощность рассеяния (PD) | 333 Вт | При условии идеального теплоотвода (Tc=25°C) | | Диод сток-исток (Internal Body Diode) | Есть | Прямой ток: 104 А, время восстановления: ~ 90 нс |

Парт-номера (Part Numbers) и варианты корпусов

Одна и та же кремниевая структура (чип) часто поставляется в разных корпусах. У DD104N12K есть прямые аналоги в других популярных корпусах:

• DD104N12K – Основная модель в корпусе TO-220.
• DD104N12K может также обозначаться в полной спецификации как DD104N12KXTMA1 (где XTMA1 — код варианта упаковки/ленты).

Совместимые модели в других корпусах от Infineon:

• IPD104N12N5G – Корпус TO-262 (D²PAK). Механически совместим с TO-220 по выводам, но имеет большую площадку для пайки на плату и лучший теплоотвод.
• IPP104N12N5G – Корпус TO-220 FullPAK (или TO-220FP). Имеет пластиковую изолированную подложку, что позволяет не использовать изолирующую прокладку при монтаже на общий радиатор.
• IRF104N12P5 – Устаревшее обозначение от IR (International Rectifier, теперь часть Infineon). Внимание: Хотя электрические параметры могут быть близки, всегда нужно сверяться с даташитом конкретной модели, так как могут быть отличия в динамических характеристиках.

Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей

При поиске аналога или замены следует сравнивать ключевые параметры: VDSS, ID, RDS(on), Qg, корпус.

Прямые аналоги от других брендов (очень близкие по параметрам):

• Vishay / Siliconix: SIR104DP (PowerPAK® 8x8), SQJ104EP (TO-263-7). Модели Vishay часто имеют схожие характеристики.
• ON Semiconductor / Fairchild: FDB104AN10A (100В, 104А, 2.1мОм) – очень близкий аналог. Нужна проверка по даташиту.
• STMicroelectronics: Аналоги в линейке STripFET™ F7 (например, STH104N10F7 - 100В) или STripFET™ F8. Требуется подбор по параметрам.

Как искать аналог:

1. Используйте параметрические поиски на сайтах дистрибьюторов (например, LCSC, Mouser, Digi-Key).
2. Задайте фильтры: VDSS >= 100В, ID >= 100А, RDS(on) < 2.5 мОм, корпус TO-220 (или другой нужный).
3. Критически важно: Не ограничиваться только статическими параметрами. Для замены в существующей схеме необходимо также учитывать динамические характеристики (заряды затвора Qg, Qgd, внутренние индуктивности), так как это влияет на работу драйвера и общие коммутационные потери.

Важное примечание:

Перед заменой или использованием всегда изучайте официальный даташит (datasheet) на конкретную модель. Электрические характеристики могут незначительно отличаться в зависимости от партии и производителя, что может быть критично для высокооптимизированных схем.