Infineon DD171N16K

Infineon DD171N16K
Артикул: 562812

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon DD171N16K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon DD171N16K.

Общее описание

Infineon DD171N16K — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Это третье поколение высоковольтных MOSFET от Infineon, которое устанавливает новые стандарты в эффективности и компактности.

Ключевая особенность: Этот транзистор оптимизирован для высокочастотных и высокоэффективных импульсных преобразователей, особенно в топологиях, где критичны низкие коммутационные потери (например, LLC-резонансные преобразователи, корректоры коэффициента мощности (PFC), импульсные источники питания (SMPS), серверные и телекоммуникационные БП).

Основные преимущества:

  • Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные проводимые потери и высокий КПД.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
  • Отличная устойчивость к лавинным пробоям (UIS): Надежность в жестких условиях эксплуатации.
  • Планарная (Planar) технология: Сочетание высокой производительности и надежности.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | OptiMOS™ 5 (Planar) | | | Корпус | TO-247 | Классический мощный корпус с тремя выводами. | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 170 мОм (макс.) @ VGS=10 В | Ключевой параметр для проводимых потерь. Очень низкое значение для 600В прибора. | | Постоянный ток стока (ID) | 17 А @ TC=100°C | При определенных условиях охлаждения. | | Импульсный ток стока (IDM) | 68 А | Кратковременная перегрузка. | | Напряжение отпирания затвора (VGS(th)) | 3.5 - 5.0 В | Типичное пороговое напряжение. | | Заряд затвора (Qg) | ~ 45 нКл (тип.) @ VGS=10 В | Низкий заряд означает низкие потери на управление и простоту драйвера. | | Входная емкость (Ciss) | ~ 1350 пФ | | | Выходная емкость (Coss) | ~ 65 пФ | Низкое значение снижает потери при переключении. | | Макс. мощность рассеяния (Ptot) | 250 Вт | При идеальном бесконечном радиаторе (TC=25°C). |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Инфайнон часто использует разные префиксы и упаковки для одного и того же кристалла. DD171N16K — это полное название детали.

Прямые парт-номера Infineon:

  • SPW17N60C3 — это прямой и полный аналог в корпусе TO-247. Многие дистрибьюторы и datasheets ссылаются на эту маркировку как на основную. Фактически, DD171N16K и SPW17N60C3 — это одно и то же устройство.
  • SPW17N60C3FKSA1 — та же модель, возможно, в другой упаковке (катушка/лента).

Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей:

При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: VDSS=600В, ID≈17А, RDS(on)≈0.17 Ом, корпус TO-247.

  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FCP17N60NF (SuperFET®)
    • FCPF17N60NT (SuperFET® II)
  • STMicroelectronics:
    • STP17NK60ZFP (MDmesh™ M2)
    • STW17NK60Z (в корпусе TO-247)
  • Vishay / Siliconix:
    • SUP17N06-09 (или аналоги из серии)
  • IXYS:
    • Модели из серии IXFH17N60P3 (HiPerFET™)

Важное примечание по совместимости: Несмотря на схожесть электрических параметров, динамические характеристики (особенно Qg, Coss, время переключения) и внутренняя структура могут отличаться. Перед заменой в существующей схеме, особенно высокочастотной, необходимо:

  1. Внимательно сравнить даташиты, уделяя внимание паразитным емкостям и зарядам.
  2. Проверить рекомендации по драйверу затвора.
  3. По возможности, провести тестовые испытания в схеме.

Типичные области применения

  • Импульсные источники питания (SMPS): Выпрямители, DC-DC преобразователи.
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC): Как в Boost-топологии.
  • Резонансные преобразователи (LLC): Полумостовые и мостовые схемы, где критичны низкие потери при переключении.
  • Инверторы и приводы двигателей: Для управления мощностью.
  • Источники бесперебойного питания (ИБП).
  • Сварочное оборудование.

Вывод: Infineon DD171N16K (он же SPW17N60C3) — это высококачественный, высокоэффективный 600-вольтовый MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для построения эффективных и компактных силовых преобразователей средней мощности. Его выбор оправдан в проектах, где на первое место выходят КПД и частота работы.

Товары из этой же категории