Infineon DD171N18K

Infineon DD171N18K
Артикул: 562813

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon DD171N18K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon DD171N18K.

Описание

Infineon DD171N18K — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он предназначен для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, системах управления двигателями (например, в сервоприводах) и других силовых электронных устройствах, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 1.7 мОм при 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
  • Высокое рабочее напряжение: 180 В (Vds). Позволяет работать в цепях с повышенным напряжением, например, в промышленных сетях, системах на 48В и выше.
  • Технология OptiMOS™ 5: Обеспечивает лучший в своем классе компромисс между Rds(on) и зарядом затвора (Qg), что ведет к снижению как статических, так и динамических потерь.
  • Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (100% тестирование): Транзистор надежно защищен от выбросов напряжения и импульсных перенапряжений, что повышает надежность конечного устройства.
  • Корпус TO-220: Классический, широко распространенный корпус, удобный для монтажа как на печатную плату, так и на радиатор для отвода тепла.
  • Соответствие RoHS: Не содержит опасных веществ.

Типичные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS) средней и высокой мощности.
  • Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры).
  • Цепи управления двигателями (мотор-драйверы, сервоприводы).
  • Синхронное выпрямление.
  • Инверторы и промышленные системы управления.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Структура | OptiMOS™ 5 | — | | Корпус | TO-220 | — | | Макс. напряжение "сток-исток" (Vds) | 180 В | — | | Макс. напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В | — | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.7 мОм | Vgs = 10 В, Id = 34 А | | | 2.4 мОм | Vgs = 4.5 В, Id = 25 А | | Макс. непрерывный ток стока (Id) | 171 А | При Tc = 25°C | | | 61 А | При Tc = 100°C | | Макс. импульсный ток стока (Idm) | 684 А | — | | Полный заряд затвора (Qg) | 175 нКл | Типовое, Vgs = 10 В | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.5 - 4.0 В | Типовое 3.2 В, Id = 250 мкА | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 357 Вт | При Tc = 25°C (на радиаторе) | | Диод "сток-исток" (Internal diode) | Есть | Параметры указаны в даташите |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (могут отличаться корпусом или током):

  • IPD171N18K5 — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, с лучшей электрической изоляцией).
  • IPP171N18K5 — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (такой же, как IPD, но с другой маркировкой в рамках одной линейки).
  • IAU171N18K5 — Аналог в корпусе TO-262 (D2PAK, для поверхностного монтажа SMD).
  • IAUC171N18K5 — Аналог в корпусе TO-263 (D2PAK-7, SMD с большей площадью теплоотвода).

2. Близкие по характеристикам аналоги от других производителей (совместимые по распиновке и ключевым параметрам):

  • Vds ~180-200В, Rds(on) ~1-3 мОм:
    • STMicroelectronics: STH171N8F7-2 (160В, 1.7 мОм), STP160N75F3 (75В, но часто используется в схожих цепях низкого напряжения).
    • ON Semiconductor (Fairchild): FDPF171N18T (прямой аналог в TO-220F), FDP171N18 (в стандартном TO-220).
    • Vishay (Siliconix): SUP171N18-18 (очень близкий аналог).
    • IXYS (Littelfuse): IXFH171N18T (высоконадежный аналог).

Важно: При замене всегда необходимо сверяться с даташитом (технической документацией). Критически важно проверять:

  • Распиновку корпуса (особенно у SMD-аналогов).
  • Напряжение Vds (должно быть не ниже).
  • Ток Id (с учетом вашего температурного режима).
  • Заряд затвора (Qg) и сопротивление Rds(on) (влияют на динамику и потери).
  • Пороговое напряжение Vgs(th) (особенно если управление ведется низковольтными контроллерами, например, 3.3В или 5В).

Вывод

Infineon DD171N18K — это высокопроизводительный и надежный транзистор для мощных и эффективных силовых приложений. Его основными конкурентными преимуществами являются экстремально низкое сопротивление в открытом состоянии и проверенная стойкость к перегрузкам. При поиске замены в первую очередь стоит рассматривать аналоги в той же технологической линейке OptiMOS™ 5 от Infineon (IPD, IPP, IAU), а затем уже проверенные аналоги от других топовых производителей, тщательно сравнивая ключевые параметры под вашу конкретную задачу.

Товары из этой же категории