Infineon FF800R12KE3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для модуля IGBT Infineon FF800R12KE3.

Описание

Infineon FF800R12KE3 — это мощный двухуровневый IGBT-модуль третьего поколения (IGBT3, Trench/Field Stop technology), предназначенный для применения в промышленных приводах среднего и высокого напряжения, мощных источниках бесперебойного питания (ИБП), инверторах для возобновляемой энергетики и тяговых преобразователях.

Ключевые особенности:

• Высокая мощность: Номинальный ток 800А при 1200В, что делает его пригодным для систем от сотен кВт до нескольких МВт.
• Низкие потери: Технология IGBT3 обеспечивает оптимальный баланс между низкими коммутационными потерями (Eoff) и умеренным напряжением насыщения (Vce_sat), повышая общий КПД системы.
• Двухуровневая топология (2-Level): Модуль содержит два IGBT/диодных ключа в полмостовой (half-bridge) конфигурации. Это позволяет собирать трехфазные инверторы, используя три таких модуля.
• Высокая надежность: Конструкция с пайкой и спеканием (sintering), низкоиндуктивная конструкция силовых выводов, встроенный NTC-термистор для контроля температуры.
• Электролитическая изоляция: Основание модуля (базаплата) изолировано от силовой части, что упрощает монтаж на общий радиатор для всех трех фаз без изолирующих прокладок (при условии соблюдения потенциалов).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES = 1200 В | Максимальное повторяющееся напряжение | | Номинальный ток (при T_vj=80°C) | I_C = 800 А | Для каждого IGBT в модуле | | Ток короткого замыкания | I_SC = 1600 А (t ≤ 10 мкс) | Способность выдерживать КЗ | | Напряжение насыщения IGBT | V_{CE(sat)</sub) ~ 2.25 В (тип.) | При IC=800А, VGE=15В | | Прямое напряжение диода | VFM ~ 1.7 В (тип.) | При IF=800А | | Суммарные коммутационные потери | Ets ~ 270 мДж (тип.) | Per pulse, при номинальных условиях | | Температура перехода | Tvj = -40...+150 °C | Рабочий диапазон | | Термическое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) = 0.025 К/Вт (тип.) | Для каждого IGBT/диода | | Изоляционное напряжение (базаплата-силовая) | Viso = 4000 В (эфф.) | 50 Гц, 1 мин | | Встроенный датчик температуры | NTC-термистор | R25°C = 10 кОм, B=3435K | | Вес | ~ 650 г | |}

Механические данные:

• Корпус: Стандартный модуль с керамической изоляцией, размерами примерно 190mm x 140mm x 38mm (Д x Ш x В).
• Выводы: Винтовые клеммы (M8) для силовых цепей, пружинные разъемы (Faston) для управления.
• Монтаж: Установка на радиатор с помощью винтов через 4 монтажных отверстия. Требуется нанесение термопасты.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

При поиске аналога или замены необходимо учитывать не только электрические параметры, но и механическую конструкцию (габариты, расположение выводов), а также характеристики драйвера (требования к напряжению затвора, уровни защит).

1. Прямые аналоги и кроссплатформенные замены:

Эти модули имеют идентичную или очень схожую механическую компоновку и электрические параметры, что позволяет использовать их в одной и той же посадочной плоскости платы/радиатора, часто с минимальными доработками цепи управления.

• SEMIKRON:
  • SKM800GB12T4 (IGBT4) — более современная технология с меньшими потерями. Часто используется как рекомендуемая замена.
• Fuji Electric:
  • 2MBI800VN-120-50 — аналогичный модуль в схожем корпусе.
• Mitsubishi Electric:
  • CM800DU-12NFH — мощный модуль в корпусе "NFH", габариты могут отличаться.

2. Функциональные аналоги (с проверкой механики и драйверов):

Модули с аналогичными электрическими характеристиками (1200В, 800А), но в разных корпусах. Требуется переделка монтажа и проверка совместимости драйвера.

• Infineon (в других корпусах):
  • FZ800R12KE3 (EconoDUAL™ 3) — корпус меньшего размера, но с похожими характеристиками. Очень популярный форм-фактор.
  • FZ800R12KP3 (EconoDUAL™ 3 + PressFIT) — версия для прессового монтажа.
• SEMIKRON:
  • SKM800GB12E4 (в корпусе EconoDUAL™ 3, IGBT4).
• Dynex (а теперь тоже часть Littelfuse):
  • DIM800BMS120-XHA — модуль в корпусе с аналогичными характеристиками.

3. Важные примечания по замене:

• Поколение IGBT: Замена модуля 3-го поколения (KE3) на модуль 4-го (например, KE4 или аналог от Semikron) обычно приводит к повышению КПД, но требует проверки драйвера. IGBT4 часто имеют другие рекомендации по сопротивлению в цепи затвора (Rg) и могут быть более чувствительны к помехам.
• Внутренняя схема: Убедитесь, что топология модуля совпадает (2-Level half-bridge).
• Распиновка управления: Расположение и тип контактов затвора/эмиттера (-15В, +15В, сигналы защиты) могут различаться. Необходимо сверять распиновку (pinout).
• NTC-термистор: Параметры встроенного термистора (сопротивление, B-константа) могут отличаться, что потребует корректировки в схеме контроля температуры.

Рекомендация: Перед заменой всегда изучайте даташиты (Datasheet) и документацию по монтажу (Mounting Instructions) обоих модулей, особенно разделы Mechanical Dimensions и Gate Driver Requirements.