Infineon FS35R12KE3G

Отличный выбор! Infineon FS35R12KE3G — это очень популярный и надежный IGBT-модуль. Вот подробное описание, характеристики и информация о совместимости.

Описание

FS35R12KE3G — это транзисторный модуль (IGBT модуль) третьего поколения (IGBT3, Trench/Fieldstop technology) в классическом корпусе 34mm (EconoDUAL™ 3). Он представляет собой полумостовую конфигурацию (Half-Bridge), что означает, что в одном корпусе собраны два IGBT с антипараллельными диодами (второй ключ и диод являются "нижними" в мосту).

Основное назначение: Преобразование электрической энергии в мощных силовых электронных устройствах. Типичные области применения:

• Частотно-регулируемые приводы (ЧРП, VFD) для электродвигателей (промышленные насосы, вентиляторы, компрессоры).
• Источники бесперебойного питания (ИБП, UPS).
• Инверторы (например, для солнечных электростанций).
• Промышленные сварочные аппараты.

Ключевые преимущества этого модуля:

• Низкие потери проводимости и коммутации: Высокий КПД системы.
• Высокая перегрузочная способность: Кратковременно выдерживает большие токи.
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры корпуса.
• Высокая надежность и стойкость к перегрузкам: Благодаря технологии IGBT3.
• Международные сертификаты: Соответствует стандартам промышленной электроники.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | 2 в 1 (Two switches in one package) | | Корпус | EconoDUAL™ 3 (34 мм) | Стандартный монтаж | | Коллектор-Эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Номинальный ток коллектора (I_C @25°C) | 35 А | При температуре корпуса 25°C | | Номинальный ток коллектора (I_C @80°C) | 23 А | При температуре корпуса 80°C (более реалистичный параметр) | | Ток импульсный (I_CM) | 70 А | Максимальный кратковременный ток | | Насыщающее напряжение (V_CE(sat)) | ~ 1.85 В (тип.) | При номинальном токе, определяет потери проводимости | | Общие потери мощности | ~ 160 Вт | При типичных условиях работы | | Температура перехода (T_vj) | -40°C ... +150°C (макс. +175°C) | Рабочий диапазон / максимальная | | Встроенная защита | NTC-термистор | Для контроля температуры (сопротивление ~ 10 кОм при 25°C) | | Вес | ~ 110 г | |

Важное примечание по току: При выборе модуля и проектировании системы всегда ориентируйтесь на ток при повышенной температуре (80°C или 100°C), а не на 25°C. Это обеспечит запас по надежности.

Part-номера (полные и аналогичные)

• Основной номер: FS35R12KE3G

  • FS — серия EconoDUAL.
  • 35 — номинальный ток при 25°C (35А).
  • R — корпус EconoDUAL.
  • 12 — напряжение 1200В.
  • KE3 — поколение IGBT3 и специфические характеристики.
  • G — наличие встроенного NTC-термистора.

• Аналоги от Infineon (прямая замена в одной линейке):

  • FS35R12KE3 (версия без NTC-термистора).
  • FS35R12KE3B (модификация с улучшенными характеристиками диода).
  • FS35R12KE3BGBOSA1 (полный номер для заказа, включающий упаковку и пр.).

• Популярные парт-номера для заказа у дистрибьюторов (упаковка/логистика):

  • SP001448771 — часто используется как ID на сайтах дистрибьюторов (например, TME, Mouser, DigiKey).
  • FS35R12KE3G BOSA1

Совместимые и аналогичные модели (от других производителей)

При замене необходимо сверять не только электрические параметры, но и механический корпус (EconoDUAL 3, 34mm), расположение выводов (pinout) и характеристики управления (напряжение драйвера).

Прямые аналоги (с очень близкими параметрами):

1. Fuji Electric:

   • 2MBI35S-120 (серия SlimDIP, но часто используется как функциональный аналог).
   • 2MBI35SN-120 (с NTC).

2. Mitsubishi Electric:

   • CM35TU-12S (полумост, 35А, 1200В).

3. SEMIKRON:

   • SKM35GB12T4 (серия SEMITRANS, 35А, 1200В, полумост).

4. ON Semiconductor (Fairchild):

   • FZ35R12KE3 — ОЧЕНЬ ВАЖНО! Это практически полный аналог, так как данная линейка была приобретена Infineon у Fairchild. Модули имеют одинаковые или крайне близкие характеристики и pinout. FZ35R12KE3 часто можно использовать как прямую замену.

Важные замечания по совместимости:

• Не всегда 1-в-1: Даже при совпадении ключевых параметров могут отличаться динамические характеристики, внутренние индуктивности, параметры диодов. Перед заменой необходимо изучать даташиты и, в идеале, проводить тесты.
• Драйверы: При замене модуля убедитесь, что ваш драйвер IGBT обеспечивает необходимые токи заряда/разряда затвора и напряжения для нового модуля.
• Термоинтерфейс и момент затяжки: Всегда используйте свежую термопасту и соблюдайте момент затяжки винтов, указанный в даташите (обычно 0.5-0.7 Н·м для контактов, 1.2-1.5 Н·м для монтажного винта).

Рекомендация: Для ремонта или прямого замера лучше всего искать оригинальный FS35R12KE3G или его ближайшего аналога FZ35R12KE3. При проектировании нового устройства изучайте даташиты всех кандидатов.