Infineon IFS100S12N3T4_B11

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового полупроводникового модуля Infineon IFS100S12N3T4_B11.

Общее описание

Infineon IFS100S12N3T4_B11 — это IGBT-модуль второго поколения (Trenchstop 2) в популярном промышленном корпусе EconoDUAL™ 3. Он представляет собой полумостовую конфигурацию (Half-Bridge), что делает его ключевым строительным блоком для преобразователей частоты (инверторов), источников бесперебойного питания (ИБП), сварочного оборудования и других силовых электронных устройств.

Модуль интегрирует в одном изолированном корпусе:

• Два IGBT-транзистора с обратными диодами (FRD) в полумостовой схеме.
• Встроенный NTC-термистор для контроля температуры.
• Керамическую изолированную подложку (DCB), обеспечивающую высокую электрическую прочность и эффективный отвод тепла.

Основное назначение: Преобразование постоянного тока (DC) в переменный (AC) или управление мощной нагрузкой. Работает на переключении с высокой частотой (обычно несколько кГц), что позволяет эффективно регулировать мощность.

Ключевые особенности и преимущества

• Технология Trenchstop 2: Обеспечивает низкие потери проводимости (Vce_sat) и переключения, что повышает общий КПД системы.
• Корпус EconoDUAL™ 3: Стандартизированный, компактный, с удобным подключением силовых и управляющих выводов. Хорошо известная механика для простого монтажа на радиатор.
• Высокая надежность: Паяные соединения без свинца (Pb-free), рассчитаны на длительный срок службы.
• Встроенная температурная защита: Наличие NTC-термистора позволяет системе контролировать температуру модуля и предотвращать перегрев.
• Низкая индуктивность силовой петли: Конструкция корпуса минимизирует паразитную индуктивность, что снижает перенапряжения при коммутации.

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | 2 в 1 (Two in One) | | Корпус | EconoDUAL™ 3 | | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | Максимальное обратное напряжение | | Номинальный ток (при T_c=80°C) | I_C,nom = 100 А | Для каждого IGBT | | Ток коллектора (пиковый) | I_CM = 200 А | | | Насыщающее напряжение | V_CE(sat) ≈ 1.85 В (тип.) | При I_C=100А, V_GE=15В | | Общие потери при переключении | E_ts ≈ 9.5 мДж (тип.) | На одно переключение при номинальных условиях | | Прямое напряжение диода | V_FM ≈ 1.7 В (тип.) | Для встроенного обратного диода (FRD) | | Термистор | NTC с R_25°C = 5 кОм | Для контроля температуры | | Максимальная температура перехода | T_vj max = 150 °C | | | Температура хранения | T_stg = от -40 до +125 °C | | | Класс изоляции | 2500 В (эфф.) | Между кристаллами и базовой пластиной | | Вес | ~ 140 г | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Модуль имеет строго определенный порядковый номер. Прямые полные аналоги с идентичными характеристиками и корпусом — это модули с точно таким же обозначением. Однако существуют близкие аналоги в той же серии и корпусе, отличающиеся номинальным током или напряжением.

1. Прямые аналоги и варианты маркировки:

• IFS100S12N3T4_B11 — полное основное обозначение.
• На модуле может быть нанесен штрих-код и короткий номер, например, содержащий S12N3T4, который является уникальным идентификатором.

2. Совместимые / Близкие по характеристикам модели от Infineon (в корпусе EconoDUAL 3):

• По напряжению 1200В и в конфигурации Half-Bridge:
  • IFS75S12N3T4_B11 — 75А (менее мощный)
  • IFS150S12N3T4_B11 — 150А (более мощный)
  • IFS200S12N3T4_B11 — 200А (более мощный)
• По напряжению 600В/650В:
  • IFS100S06N3T4_B11 — 100А, 600В
• Аналоги от других производителей (требуется проверка datasheet и конфигурации выводов!):
  • Fuji Electric: 2MBI100S-120 (серия 2MBI100S…)
  • Semikron: SKM100GB12T4 (серия SKM100GB…)
  • MITSUBISHI Electric: CM100DY-12S (более старая серия)

Важное примечание по замене: При замене модуля на аналог от другого производителя необходимо тщательно сверять:

1. Распиновку (pinout) управляющих и силовых выводов.
2. Габаритные и монтажные размеры.
3. Характеристики драйвера управления (напряжение затвора, резисторы).
4. Динамические характеристики (скорость переключения, энергии потерь).

Области применения

• Частотные преобразователи (инверторы) для электропривода.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Сварочные инверторы.
• Системы рекуперации энергии.
• Промышленные источники питания.

Для проектирования и замены настоятельно рекомендуется использовать официальный даташит (datasheet) на Infineon IFS100S12N3T4_B11, который можно найти на сайте Infineon Technologies.