Infineon IGW75N60H3FKSA1

Отличный выбор! IGW75N60H3FKSA1 — это мощный и надежный транзистор, популярный в силовой электронике. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Краткое описание

IGW75N60H3FKSA1 — это N-канальный功率MOSFET-транзистор (MOSFET) с технологией TRENCHSTOP™ 5 H3 от Infineon. Ключевые особенности, которые делают его востребованным:

• Высокое напряжение: 600 В — подходит для работы в сетях 220/380В.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 75 мОм — обеспечивает низкие conduction потери и высокий КПД.
• Технология Fast Recovery Diode (FRD): Встроенный быстрый обратный диод с мягким восстановлением. Это критически важно для инверторных и импульсных схем, так как снижает выбросы напряжения и коммутационные потери.
• Оптимизирован для жесткого переключения (Hard-Switching): Идеален для традиционных схем ШИМ-инверторов, ИБП, сварочных инверторов.
• Корпус TO-247: Классический, удобный для монтажа и теплоотвода корпус.

Основные области применения:

• Инверторы (сварочные, для солнечных батарей, частотные преобразователи)
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы ИБП (Uninterruptible Power Supply)
• Управление электродвигателями
• Промышленные приводы

Технические характеристики (Datasheet Summary)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | С изолированным затвором | | Технология | Infineon TRENCHSTOP™ 5 H3 | С быстрым диодом | | Корпус | TO-247 | | | Код продукта | IGW75N60H3FKSA1 | Полное название | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток стока (I_D) при T_c=25°C | 75 А | В непрерывном режиме | | Импульсный ток стока (I_DM) | 300 А | Максимальный кратковременный импульс | | Сопротивление "сток-исток" (R_DS(on)) | 75 мОм (макс.) | При V_GS=10 В, I_D=38 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 170 нКл | Влияет на требования к драйверу | | Время восстановления диода (t_rr) | ~ 110 нс | Мягкое восстановление (Q_rr ~ 12.5 мкКл) | | Макс. температура перехода (T_j) | +175 °C | | | Класс изоляции корпуса | Изолированный | Требует проверки в конкретной схеме на соответствие нормам |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный номер Infineon — IGW75N60H3FKSA1. В зависимости от канала поставок, упаковки или маркировки могут встречаться вариации, но этот номер является основным.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (Кросс-референс)

Важно: При замене всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно по динамическим параметрам (Q_g, t_rr), характеристикам диода и корпусу.

| Производитель | Модель-аналог | Примечание (чем похож/отличается) | | :--- | :--- | :--- | | Infineon (прямые аналоги в других корпусах/линейках) | IGW75N60H3 | Без суффикса "FKSA1" (часто то же самое) | | | IPW75R060P7 | Более современная линейка CoolMOS™ P7, 600В, 75мОм. Очень близкий и часто рекомендуемый аналог по параметрам, но технология иначе оптимизирована. | | STMicroelectronics | STW75N60M2 | M2 MOSFET, 600В, 75мОм. Классический аналог. | | | STW75N60DM2 | С быстрым диодом. Один из самых популярных аналогов. | | ON Semiconductor / Fairchild | FCH75N60F | SuperFET® II MOSFET, 600В, 75мОм, с быстрым диодом. | | IXYS | IXFH75N60P3 | 600В, 75мОм. | | Vishay / Siliconix | SIH75N60E | 600В, 75мОм. |

Как искать аналоги:

1. По ключевым параметрам: V_DSS=600В, I_D >=75А, R_DS(on) ~75мОм, корпус TO-247, с быстрым диодом (Fast Diode, FRD).
2. Использовать кросс-референс базы: Например, на сайтах Octopart.com, Findchips.com, или в системах поиска аналогов от поставщиков (LCSC, Mouser, Digikey).
3. Учитывать особенности схемы: Если в вашей схеме критичны потери на переключение, смотрите на Q_g и t_rr. Если схема работает в жестком режиме — наличие мягкого диода обязательно.

Рекомендации по применению и замена

• Драйвер затвора: Для эффективного управления таким MOSFET необходим надежный драйвер с достаточным током заряда/разряда затвора (например, IR2110, IR2184, специализированные драйверы от Silabs и др.).
• Охлаждение: Обязателен качественный теплоотвод (радиатор). Рекомендуется использовать термопасту и изолирующие прокладки при необходимости.
• При замене: Модели STW75N60DM2 и IPW75R060P7 являются наиболее распространенными и технически подходящими аналогами для прямой замены в большинстве инверторных схем. Всегда проверяйте цоколевку (pinout).
• Пайка: Корпус TO-247 предназначен для монтажа на печатную плату или непосредственно на радиатор. Учитывайте высокую тепловую мощность.

Вывод: IGW75N60H3FKSA1 — это проверенный временем, мощный и robust-транзистор для серьезных силовых применений. Его популярность обеспечивает большое количество качественных аналогов на рынке.