Infineon IHW30N90T

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для силового транзистора Infineon IHW30N90T.

Описание

IHW30N90T — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TRENCHSTOP™ 5. Это ключевое преимущество, которое определяет его основные потребительские качества:

• Высокая энергоэффективность: Технология обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при высокой плотности тока, что приводит к меньшим потерям проводимости и, как следствие, к снижению нагрева.
• Оптимизация для жесткого переключения (Hard-Switching): Конструкция транзистора специально разработана для работы в импульсных схемах, где важны быстрое переключение и низкие динамические потери. Это делает его идеальным для:
  • Импульсные источники питания (SMPS): Корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые и мостовые топологии.
  • Инверторы и приводы двигателей: Солнечные инверторы, промышленные приводы, сварочное оборудование.
• Высокое напряжение: Напряжение сток-исток 900В позволяет надежно работать в сетевых приложениях (с запасом для выбросов напряжения).
• Высокая стойкость к перегрузкам: Транзистор обладает высокой стойкостью к импульсным токам и способен выдерживать короткие замыкания в системе (до 120А при 25°C), что повышает надежность конечного устройства.
• Интегрированный обратный диод: Быстрый внутренний диод (Body Diode) с хорошими характеристиками восстановления, что важно для индуктивных нагрузок.

Основная сфера применения: Высокоэффективные и компактные силовые преобразователи средней и высокой мощности, где критичны КПД, надежность и плотность монтажа.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 900 В | Максимальное рабочее напряжение | | Ток непрерывного стока | I_D | 30 А | При T_C = 25°C | | Ток импульсного стока | I_DM | 120 А | Максимальный пиковый ток | | Сопротивление "сток-исток" | R_DS(on) | 0.065 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 15 А | | Общий заряд затвора | Q_g | 125 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 330 Вт | При T_C = 25°C | | Температура перехода | T_J | -55 ... +175 °C | | | Корпус | - | TO-247 | Стандартный 3-выводной корпус для силовых компонентов |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Официальные парт-номера от Infineon для одного и того же кристалла в разных корпусах или с разными префиксами:

• IHW30N90T (основной, в корпусе TO-247)
• IPW30N90T (аналогичный кристалл, но в более тонком корпусе TO-247-3L ThinPAK для экономии места)
• SPW30N90T (версия, возможно, с другими условиями тестирования или упаковкой)

Совместимые и конкурирующие модели (Cross-Reference)

При поиске замены или аналога необходимо учитывать не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, времена переключения), а также тип корпуса.

1. От Infineon (технология TRENCHSTOP 5 или аналогичная):

• IHW30N90R3 / IPW30N90R3 – Более новая, улучшенная версия из семейства TRENCHSTOP™ 5 WR5. Имеет схожие или лучшие параметры (например, более низкий Q_g). Часто рекомендуется для новых разработок.
• IHW30N90R / IPW30N90R – Предыдущее поколение (TRENCHSTOP™ 5), также очень близкий аналог.
• IPP30N90S5 – Модель из другого семейства (Superjunction 5), но с похожими характеристиками.

2. От других производителей (прямые конкуренты):

• STMicroelectronics:
  • STW30N90K5 (серия MDmesh™ K5)
  • STP30N90K5 (в корпусе TO-220)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCH30N90 (серия SuperFET® III)
• Vishay / Siliconix:
  • SUD30N90-70 (серия N-Channel 900V)
• Toshiba:
  • TK30N90W (серия DT MOS VI)

Важное замечание по замене: Несмотря на схожесть ключевых параметров в даташитах, перед прямой заменой в существующей схеме обязательно необходимо провести сравнительный анализ динамических характеристик (особенно заряда затвора Q_g и внутренних индуктивностей), так как это может повлиять на работу драйвера, тепловой режим и общую эффективность преобразователя. Для новых проектов рекомендуется рассматривать более современные аналоги, такие как IHW30N90R3.