Infineon IKP08N65F5

Отличный выбор! IKP08N65F5 — это высоковольтный MOSFET-транзистор от Infineon Technologies, известный своим качеством и надежностью. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Краткое описание

IKP08N65F5 — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ F5. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, Flyback, Forward, Half-Bridge), где критически важны высокий КПД, надежность и устойчивость к динамическим процессам.

Ключевая философия серии CoolMOS™ F5: Оптимальный баланс между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и зарядом затвора (Qg). Это позволяет создавать более компактные и эффективные решения с меньшими коммутационными потерями.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание / Пояснение | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET | Технология Superjunction (CoolMOS) | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 650 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока (ID при 25°C) | 8.0 А | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока (IDM) | 32 А | Максимальный кратковременный импульсный ток. | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.38 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 4 А. Ключевой параметр для потерь проводимости. | | Заряд затвора (Qg) | ~ 36 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Ключевой параметр для потерь на управление и выбора драйвера. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Типичное ~4.0 В. Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Входная емкость (Ciss) | ~ 1100 пФ (тип.) | | | Корпус | TO-220 | Классический, удобный для монтажа на радиатор. | | Рабочая температура перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | Максимально допустимая +150°C. | | Скорость переключения | Высокая | Благодаря низкому Qg и технологии Fast Body Diode. | | Встроенный обратный диод | Есть (Body Diode) | Паразитный диод "сток-исток", характерный для MOSFET. |

Ключевые преимущества и особенности

1. Высокая эффективность: Низкое значение RDS(on) в сочетании с оптимизированным Qg снижает как потери проводимости, так и коммутационные потери.
2. Высокая надежность и устойчивость:
   • Высокий запас по напряжению (650В): Стабильная работа в сетевых приложениях (85-265 В AC).
   • Высокая стойкость к динамическому включению (avalanche rugged): Способен безопасно рассеивать энергию при возникновении лавинного пробоя (например, при работе с индуктивной нагрузкой).
   • Высокая стойкость к dV/dt: Устойчив к быстрым изменениям напряжения, что важно в мостовых схемах.
3. Технология Fast Body Diode: Встроенный диод имеет улучшенные характеристики по времени восстановления (trr), что снижает потери и выбросы напряжения в обратноходовых преобразователях.
4. Оптимизация для жесткого переключения: Идеален для самых распространенных и недорогих топологий.

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Источники питания для освещения (LED драйверы, в т.ч. мощные).
• Вспомогательные источники питания (stand-by power) в промышленном оборудовании.
• ИБП (UPS) и инверторы малой/средней мощности.

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

1. Прямые аналоги Infineon (той же серии или эквивалентные):

Эти модели имеют идентичные или максимально близкие характеристики и полностью взаимозаменяемы по выводам (pin-to-pin).

• SPP08N65C3 / SPP08N65C5 — от Infineon, но в корпусе TO-220F (полностью изолированный). По электрическим параметрам очень близки, но корпус другой.
• IPP08N65C5 — от Infineon, в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).
• IKP08N65C5 — предыдущее поколение CoolMOS C5. Может быть близко по параметрам, но у F5 обычно лучше баланс RDS(on)/Qg.
• IKP10N65F5 / IKP06N65F5 — транзисторы из той же серии F5 на 10А и 6А соответственно. Можно использовать с пересчетом параметров, если требуется запас по току или наоборот, экономия.

2. Функциональные аналоги от других производителей:

Важно: Перед заменой необходимо сверять даташиты, особенно по пороговому напряжению, заряду затвора и емкостям. Распиновка у корпуса TO-220 стандартная.

• STMicroelectronics:
  • STP8NK65Z (или серия STPxNK65ZFD)
  • STW8NK65Z
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP8N65 / FCPF8N65
  • FDP8N65 (с быстрым диодом)
• Vishay / Siliconix:
  • SUD08N65-xx (серия)
• Power Integrations (в составе их chipset-ов, но как дискретный компонент):
  • Прямого аналога под своим брендом нет, но они используют подобные транзисторы в референс-схемах.

3. Кросс-ссылка для поиска (что искать):

Для поиска аналогов на сайтах дистрибьюторов (например, ChipFind, Octopart) или в кросс-референс базах можно использовать:

• 650V 8A MOSFET TO-220
• CoolMOS F5 650V 8A
• Superjunction MOSFET 650V 8A

Рекомендация по замене

1. Приоритет №1: Использовать прямой оригинал IKP08N65F5 или его точный аналог от Infineon (например, в другом корпусе).
2. Если оригинала нет: Выбирайте аналоги от STMicroelectronics или ON Semiconductor с максимально близкими значениями RDS(on) и Qg. Обращайте внимание на скорость встроенного диода (trr), если используете в обратноходовой топологии.
3. Всегда проверяйте: Распиновку (хотя для TO-220 она почти всегда стандартная: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток) и максимальные предельные параметры в даташите.

Этот транзистор является отраслевым стандартом для решений мощностью примерно до 200-250 Вт и заслуженно популярен благодаря оптимальному соотношению цены, качества и производительности.