Infineon IKW20N60T

Infineon IKW20N60T
Артикул: 563838

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IKW20N60T

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon IKW20N60T.

Общее описание

IKW20N60T — это N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-247, разработанный для применения в мощных и высокоэффективных силовых преобразовательных устройствах. Он является частью линейки Infineon CoolMOS™ T (третье поколение), которая характеризуется выдающимся соотношением проводимости и заряда затвора (Rds(on) * Qg), что является ключевым показателем для КПД.

Основное назначение: Применяется в схемах, где важны высокий КПД, надежность и стойкость к перегрузкам.

  • Импульсные источники питания (SMPS): Корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые и мостовые топологии.
  • Инверторы и приводы двигателей.
  • Сварочное оборудование.
  • Системы ИБП (источники бесперебойного питания).

Ключевые преимущества линейки CoolMOS™ T:

  • Очень низкое динамическое сопротивление (Rds(on)) при высокой скорости переключения.
  • Высокая стойкость к импульсным токам и перегрузкам.
  • Встроенный обратный диод с быстрым восстановлением (Body Diode), что важно для индуктивных нагрузок.
  • Высокая надежность и устойчивость к лавинному пробою (Avalanche Rugged).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement Mode | | Корпус | TO-247 | | | Напряжение сток-исток (Vds) | 600 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (Id) при 25°C | 20 А | Постоянный ток | | Ток стока (Id) при 100°C | 12.5 А | Постоянный ток | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 80 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.19 Ом (макс.) при Vgs=10В | Типичное значение ниже | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Заряд затвора (Qg) | ~45 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Время включения/выключения (tr / tf) | ~30 / ~20 нс (тип.) | Зависит от схемы управления | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 250 Вт | При условии идеального теплоотвода (Tc=25°C) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая +150°C | | Ключевая особенность | Avalanche Rugged | Высокая энергия лавинного пробоя |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

При поиске аналога или замены важно учитывать не только электрические параметры, но и корпус, а также характеристики встроенного диода.

Прямые аналоги и совместимые модели от Infineon:

  • SPW20N60S5 — Из той же линейки CoolMOS, очень близкие параметры, часто используется как аналог.
  • IPW20N60S — Более старая модель, но электрически совместима в большинстве схем (требуется проверка по динамическим характеристикам).
  • IPP20N60S5 — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK.
  • В рамках одного поколения (CoolMOS T) можно подбирать по току и напряжению: IKW15N60T (15А), IKW25N60T (25А), IKW30N60T (30А) и т.д. — с поправкой на токовую нагрузку.

Аналоги от других производителей (кроссплатформенные замены):

  • STMicroelectronics: STW20N60M2, STP20N60M2 (в TO-220). Серия MDmesh™ M2 является технологическим аналогом CoolMOS™ T.
  • ON Semiconductor (Fairchild): FCP20N60, FCH20N60. Требуется сверка даташитов, особенно по заряду затвора и времени восстановления диода.
  • Vishay (Siliconix): SUD20N60-50.
  • IXYS: Модели серии IXFH20N60.
  • Power Integration (через бренд HiperFETs): Модели, входящие в их готовые решения для SMPS.

Важное примечание по замене: Перед заменой всегда необходимо тщательно сравнивать даташиты, особенно следующие параметры:

  1. Qg (заряд затвора) и Rds(on) — влияют на КПД и нагрев драйвера.
  2. Характеристики встроенного диода (Reverse Recovery Time, Qrr) — критично для мостовых и резонансных схем.
  3. Емкости (Ciss, Coss, Crss) — влияют на динамику переключения.
  4. Распиновка (Pinout) корпуса TO-247 может отличаться у некоторых производителей.

Рекомендации по применению

  1. Схема управления затвором: Для полного открытия рекомендуется напряжение Vgs = 10-12В. Обязательно использовать низкоомный резистор в цепи затвора (например, 10-100 Ом) для подавления паразитных колебаний.
  2. Теплоотвод: Корпус TO-247 рассчитан на монтаж на радиатор. Необходим качественный тепловой интерфейс (термопаста, прокладка). Расчет радиатора вести, исходя из максимальной мощности потерь и допустимого перегрева.
  3. Защита: Несмотря на стойкость к лавинному пробою, в схемах с индуктивной нагрузкой рекомендуется предусматривать снабберные цепи или использовать быстрые защитные диоды (например, в полумостовых схемах).

Вывод: Infineon IKW20N60T — это мощный, надежный и эффективный транзистор, являющийся отраслевым стандартом для построения силовых ключей в сетевом оборудовании (на 220В). Наличие многочисленных аналогов от других ведущих производителей делает его удобным для проектирования и ремонта.

Товары из этой же категории