Infineon IKW25N120H3XK

Отличный выбор! IKW25N120H3XK — это высоковольтный, быстродействующий силовой IGBT-транзистор от Infineon, являющийся частью их линейки TRENCHSTOP™ 5 H3. Он оптимизирован для жестких режимов коммутации и обладает отличным балансом между низкими потерями проводимости и малыми потерями переключения.

Описание

IKW25N120H3XK — это N-канальный IGBT с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током коллектора 25 А (при 100°C). Ключевые особенности:

• Технология TRENCHSTOP™ 5 H3: Позволяет достичь очень низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) в сочетании с мягкой характеристикой переключения и высокой устойчивостью к перенапряжениям. Это снижает потери проводимости и улучшает эффективность.
• Оптимизирован для жесткого переключения (Hard Switching): Идеально подходит для инверторов, ИБП, сварочного оборудования, где ключ переключается при наличии высокого напряжения и тока.
• Высокая перегрузочная способность: Способен выдерживать кратковременные токи, значительно превышающие номинальный (пиковый ток Ic(peak) = 100 А).
• Встроенный быстрый диод: В одном корпусе интегрирован ультрабыстрый антипараллельный диод (Emitter Controlled Diode), что упрощает проектирование схем и улучшает надежность.
• Низкие динамические потери: Благодаря технологии H3, потери при включении (Eon) и выключении (Eoff) сведены к минимуму.
• Корпус TO-247: Классический, надежный корпус с хорошими тепловыми характеристиками, удобный для монтажа.

Основные области применения:

• Инверторы (в т.ч. для солнечной энергетики)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Приводы двигателей (частотные преобразователи)
• Системы индукционного нагрева

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1200 В | - | | Непрерывный ток коллектора | I_C @ 100°C | 25 А | T_vj=100°C | | Пиковый ток коллектора | I_CM | 100 А | - | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 1.75 В (тип.) | I_C=25А, V_GE=15В | | Энергия включения | E_on | 6.5 мДж (тип.) | V_CC=600В, I_C=25А | | Энергия выключения | E_off | 3.0 мДж (тип.) | V_CC=600В, I_C=25А | | Заряд затвора | Q_g | 120 нКл (тип.) | V_GE=±15В | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 5.5 В (тип.) | V_CE=V_GE, I_C=250мА | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0.45 К/Вт | - | | Максимальная температура перехода | T_vj | +175 °C | - | | Встроенный диод (Emitter Controlled Diode) | - | Да | Прямое напряжение V_F ~ 1.7В (тип.) | | Корпус | - | TO-247 | 3 вывода |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Эта модель может иметь различные суффиксы в зависимости от упаковки или партии, но базовая часть номера — IKW25N120H3.

• Прямые аналоги от Infineon в том же семействе:

  • IKW25N120H3 (основной номер, часто подразумевает корпус TO-247)
  • IKW25N120H3XKSA1 — полный номер для заказа, где "XKSA1" может указывать на тип ленты и упаковку (Tape & Reel).

• Совместимые / конкурирующие модели от других производителей (с аналогичными ключевыми параметрами 1200В / 25-40А):

  • STMicroelectronics: STGW25N120KD, STGW30N120KD
  • Fuji Electric: 2MBI200VN-120-50 (модуль), но для дискретных - серии 2GWxx.
  • ON Semiconductor: FGH25N120ANTD, FGH40N120SMD (более мощный)
  • IXYS (Littelfuse): IXGH25N120B3, IXGH40N120B3

Важное замечание по совместимости: Несмотря на схожие электрические параметры, полной пиновой и электрической замены без пересмотра драйвера и условий работы не бывает. Всегда необходимо:

1. Сверять цоколевку (pinout).
2. Проверять характеристики встроенного диода.
3. Анализировать кривые переключения (Eon, Eoff, Qg) и подбирать драйвер затвора с учетом новых значений.
4. Учитывать разницу в тепловых характеристиках.

Вывод

Infineon IKW25N120H3XK — это современный, надежный и эффективный IGBT для силовых преобразователей средней мощности. Его главные преимущества — низкие потери проводимости и переключения, встроенный диод и высокая стойкость к перегрузкам, что делает его отличным выбором для промышленных инверторных применений. При замене на аналог обязателен тщательный анализ даташитов.