Infineon IKW40N120CS6XKSA1

Infineon IKW40N120CS6XKSA1
Артикул: 563846

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IKW40N120CS6XKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon IKW40N120CS6XKSA1.

Общее описание

IKW40N120CS6XKSA1 — это дискретный IGBT-транзистор (N-канальный) в корпусе TO-247, разработанный компанией Infineon Technologies. Он принадлежит к серии TRENCHSTOP™ 6, что означает использование передовой технологии траншейных затворов 6-го поколения. Это ключевой компонент, предназначенный для высокочастотных инверторных приложений, где требуется высокий КПД и надежность.

Основное назначение:

  • Преобразователи частоты (инверторы) для управления электродвигателями.
  • Источники сварочного тока (инверторные сварочные аппараты).
  • Системы бесперебойного питания (ИБП).
  • Индукционные нагреватели.
  • Солнечные инверторы.

Ключевые преимущества серии TRENCHSTOP™ 6:

  • Низкие динамические потери (Eoff): Оптимизирован для работы на высоких частотах переключения (вплоть до 40-60 кГц и более), что позволяет уменьшить размеры пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
  • Позитивный температурный коэффициент Vce(on): Обеспечивает естественное выравнивание температуры при параллельном соединении нескольких IGBT, что упрощает конструкцию мощных систем.
  • Встроенный быстрый диод (Emitter Controlled 6 Diode): Высокоскоростной антипараллельный диод с мягкой характеристикой восстановления, что снижает выбросы напряжения и электромагнитные помехи (EMI).
  • Высокая стойкость к короткому замыканию (SC): 5 мкс при 400В (типовое значение), что повышает надежность системы.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES = 1200 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток коллектора (непрерывный) | IC @ 25°C = 75 А | При Tc=25°C | | Ток коллектора (непрерывный) | IC @ 100°C = 40 А | При Tc=100°C (более реалистичный параметр) | | Ток коллектора (импульсный) | ICM = 150 А | | | Падение напряжения в открытом состоянии | VCE(sat) ≈ 1.65 В | Типовое, при IC=40A, VGE=15В | | Энергия выключения | Eoff ≈ 2.7 мДж | Ключевой параметр для высокочастотных применений (VCC=600V, IC=40A) | | Пороговое напряжение затвора | VGE(th) = 5.5 В (мин.) | Типовое 6.5В | | Заряд затвора | Qg ≈ 170 нКл | Влияет на требования к драйверу затвора | | Сопротивление затвор-эмиттер | RG(on) = 1.5 Ом | Встроенный резистор для подавления колебаний | | Диапазон рабочей температуры перехода| Tj = -55 ... +175 °C | Максимальная температура p-n перехода | | Корпус | TO-247 | 3 вывода, изолированный или неизолированный вариант |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

У одного и того же кристалла может быть несколько обозначений в зависимости от упаковки, маркировки или канала сбыта.

Прямые аналоги и варианты маркировки от Infineon:

  • IKW40N120CS6 — основное коммерческое обозначение серии.
  • IKW40N120CS6XKSA1 — полный номер для заказа, где "XKSA1" часто указывает на тип упаковки (катушка/лоток) и производственную спецификаку.
  • IKW40N120CS6A — возможный вариант с незначительными отличиями в тестировании или упаковке.

Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей (аналоги по ключевым параметрам):

При поиске замены необходимо сверять ВСЕ ключевые параметры (Vces, Ic, Eoff, корпус) и схему включения.

  • Fuji Electric: 2MBI200XBE120-50 (двойной модуль, но на схожем кристалле) или серия R-series.
  • ON Semiconductor (Fairchild): FGH40N120SMD (серия Super Junction MOSFET, но для схожих частотных применений на 1200В).
  • STMicroelectronics: STGW40H120DF2 (IGBT с быстрым диодом, серия H-серии).
  • IXYS (Littelfuse): IXGH40N120B3D1 или серия IXGH-X.
  • Toshiba: GT40QR121 (серия GTxxQRxx).

Важное замечание по совместимости:

  1. Прямая "пиновая" совместимость в корпусе TO-247 обычно есть у многих моделей, но электрическая замена не всегда прямая.
  2. Характеристики драйвера затвора: Разный заряд Qg и пороговое напряжение Vge(th) требуют проверки совместимости с существующей схемой управления.
  3. Параметры встроенного диода: Очень важны для инверторных схем. Скорость восстановления и мягкость должны быть сопоставимы.
  4. Тепловые характеристики: Может отличаться тепловое сопротивление Rth(j-c), что повлияет на расчет системы охлаждения.

Рекомендация: Перед заменой всегда изучайте даташиты (Datasheet) обоих компонентов, уделяя особое внимание графикам зависимостей (Vce(sat) от тока, Eoff от тока, безопасные рабочие области - SOA). Для высокочастотных схем, где используется IKW40N120CS6, критичны именно динамические потери (Eoff).

Товары из этой же категории