Infineon IKW40N60H3
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IKW40N60H3
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IKW40N60H3.
Описание
IKW40N60H3 — это N-канальный功率 MOSFET транзистор (Power MOSFET) в корпусе TO-247. Он является частью линейки H3 (TRENCHSTOP™ 3) от Infineon, которая оптимизирована для жесткого переключения (hard switching) и высокочастотных приложений, особенно где важна высокая эффективность и надежность.
Ключевая особенность — это компромисс между низким сопротивлением канала (RDS(on)) и быстрым переключением, что делает его идеальным для:
- Импульсных источников питания (SMPS): PFC-каскады, LLC-резонансные преобразователи, мостовые топологии.
- Инверторов и приводов двигателей.
- Сварочного оборудования.
- Индукционного нагрева.
Технология TRENCHSTOP™ обеспечивает низкие потери проводимости, а внутренний быстрый выпрямительный диод с мягким восстановлением (Soft Recovery) снижает потери при переключении и уровень электромагнитных помех (EMI).
Ключевые технические характеристики
| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | | | Корпус | TO-247 | | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 600 В | | | Непрерывный ток стока (ID @ 25°C) | 40 А | Корпус = 25°C | | Непрерывный ток стока (ID @ 100°C) | 25 А | Корпус = 100°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 160 А | | | Сопротивление канала (RDS(on)) | 0.065 Ом (макс.) | VGS = 10 В, ID = 20 А | | | 0.085 Ом (макс.) | VGS = 10 В, ID = 20 А, Tj = 150°C | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | 120 нКл (тип.) | VGS = 10 В, ID = 20 А | | Время переключения (ton/toff) | Быстрое (данные в даташите) | Оптимизировано для работы до ~100 кГц | | Встроенный диод | Да, быстрый, с мягким восстановлением | Прямой ток (IS) = 40 А | | Макс. температура перехода (Tj) | +175 °C | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 0.45 К/Вт | |
Основные преимущества:
- Низкое RDS(on): Минимизирует потери на проводимость.
- Высокая скорость переключения: Снижает динамические потери.
- Высокая надежность и стойкость к перегрузкам.
- Оптимизированный внутренний диод: Уменьшает выбросы напряжения и потери при обратном восстановлении.
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
1. Прямые парт-номера (эквиваленты) от Infineon:
- IKW40N60H3FKSA1 — Это полный парт-номер для заказа. Обычно в спецификациях и на сайтах дистрибьюторов используется именно он.
- IKW40N60H3 — Укороченное, базовое обозначение.
2. Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (с похожими ключевыми параметрами 600В / ~40А / Low RDS(on)):
- STMicroelectronics: STW40N60M2, STP40N60M2 (аналогичны по характеристикам, также с быстрым диодом).
- ON Semiconductor / Fairchild: FCH40N60, FCP40N60 (серии SuperFET).
- IXYS (Littelfuse): IXFH40N60P, IXFH40N60Q.
- Vishay: SUP40N60, SIH40N60EF.
- Toshiba: TK40N60W5 (серия W5 — низкое RDS(on)).
3. Важные замечания по замене и совместимости:
- Не является прямым аналогом для: IKW40N60T, IKW40N60D. Эти модели относятся к другим технологическим линейкам Infineon (TRENCHSTOP™ 5 и Classic, соответственно) и имеют существенно другие динамические характеристики, заряд затвора и параметры внутреннего диода. Замена возможна только после тщательного анализа схемы.
- Перед заменой всегда необходимо:
- Сравнивать даташиты, особенно разделы: заряд затвора (Qg), время переключения, характеристики внутреннего диода (trr, Qrr).
- Проверять распиновку корпуса (TO-247 стандартен, но бывают исключения).
- Учитывать, что драйвер затвора должен быть рассчитан на работу с конкретными емкостями и скоростью переключения нового транзистора.
Рекомендация: Для новых разработок всегда используйте актуальные данные с официального сайта Infineon. Для замены в существующей схеме, особенно в критичных по EMI и потерям приложениях, лучшим выбором будет прямой аналог IKW40N60H3FKSA1 или модель из списка прямых аналогов после верификации по даташиту.