Infineon IKW50N65ES5

Конечно, вот подробное описание IKW50N65ES5, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Общее описание

IKW50N65ES5 — это N-channel IGBT транзистор с кремниевым диодом в корпусе TO-247, разработанный компанией Infineon Technologies. Он принадлежит к серии TRENCHSTOP™ 5, которая представляет собой последнее поколение IGBT, оптимизированное для высокочастотных инверторных приложений.

Ключевая особенность этой серии — низкие динамические потери (Eoff) при сохранении хорошего компромисса с падением напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)). Это делает его идеальным решением для современных энергоэффективных и компактных систем.

Основное назначение:

• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Промышленные приводы (частотные преобразователи)
• Солнечные инверторы
• Системы управления электродвигателями

Технические характеристики (кратко)

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 650 В
• Непрерывный ток коллектора (Ic) при 100°C: 50 А
• Ток коллектора (Ic) импульсный: 100 А
• Падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)): типично 1.55 В (при Ic=50A, Vge=15В)
• Энергия выключения (Eoff): очень низкая, что критично для высокой частоты переключения (до 40-60 кГц и выше).
• Интегрированный быстрый диод: Да (антипараллельный диод с мягким восстановлением)
• Максимальная температура перехода (Tvj): 175 °C
• Корпус: TO-247
• Технология: Trenchstop™ 5, NPT (Non-Punch Through)

Полные технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 650 В | | | Непрерывный ток коллектора | I_C | 50 А | при T_vj=100°C | | Импульсный ток коллектора | I_CM | 100 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | макс. 1.7 В | I_C=50A, V_GE=15V | | Энергия выключения | E_off | ~ 1.8 мДж | I_C=50A, V_GE=±15V, T_vj=150°C (тип.) | | Напряжение отпирания затвора | V_GE(th) | 4.5 - 6.5 В | I_C=25mA, V_CE=V_GE | | Заряд затвора (общий) | Q_g | ~ 140 нКл | V_GE=±15V | | Параметры встроенного диода | | | | | Непрерывный ток эмиттера | I_E | 50 А | | | Прямое напряжение диода | V_EC | макс. 1.9 В | I_E=50A, V_GE= -15V | | Температурные характеристики | | | | | Макс. температура перехода | T_vj | 175 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0.45 К/Вт | |

Парт-номера (Part Numbers) и маркировка

• Полный порядковый номер: IKW50N65ES5
• Маркировка на корпусе: Обычно наносится как "50N65ES5" или сокращенно "K505" + дополнительный код с датой/лотом.
• Также может встречаться в тандемной упаковке (для мостовых схем): Infineon может поставлять его как часть сборки, но отдельно он заказывается под номером IKW50N65ES5.

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены необходимо учитывать не только статические параметры (Vces, Ic), но и динамические (Eoff, Qg), а также характеристики встроенного диода.

Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-247):

• IKW50N65EH5 — из предыдущей серии TRENCHSTOP™ 5. Имеет схожие характеристики, но может отличаться балансом Vce(sat) и Eoff (более старый вариант серии 5).
• IKW50N65ET7 — из серии TRENCHSTOP™ 7. Более новая технология с еще более низкими потерями на переключение, идеальная замена для модернизации.
• IKW50N60T — транзистор на 600В из предыдущего поколения. Подойдет, если запас по напряжению позволяет.
• IKW40N65ES5 — младший брат на 40А. Подойдет для схем с меньшим током.
• IKW75N65ES5 — старший брат на 75А. Для схем с большим током.

Аналоги от других производителей (требуют проверки распиновки и характеристик!):

• Fuji Electric: 2MBI50N-065 (сборка из двух штук в одном модуле) или поиск дискретных аналогов серии R-系列.
• ON Semiconductor (Fairchild): FGH50N65SMD (серия Super Junction IGBT, корпус TO-247). Очень популярный аналог.
• STMicroelectronics: STGW50H65DFB (IGBT с диодом, корпус TO-247).
• IXYS (Littelfuse): IXGH50N60C3D1 или IXGH50N65B3D1.

Важное предупреждение: Перед заменой обязательно необходимо:

1. Сравнить даташиты (data sheets) обоих компонентов.
2. Проверить соответствие характеристик (Vces, Ic, Vce(sat), Eoff, Qg).
3. Убедиться в идентичности распиновки (pinout) корпуса TO-247.
4. Учесть различия в параметрах встроенного диода (если он используется в вашей схеме).
5. Проверить рекомендации по схеме затвора (номиналы резистора, напряжение управления).

Рекомендация: Для новых разработок Infineon предлагает рассматривать более современные серии, такие как TRENCHSTOP™ 7 (IKWxxN65ET7) или IGBT7, которые обеспечивают еще более высокий КПД.