Infineon Ikw75n65el5xksa1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для транзистора Infineon IKW75N65EL5XKSA1.

Общее описание

IKW75N65EL5XKSA1 — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P7 от Infineon. Это ключевой компонент, предназначенный для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Основное назначение: Применяется в схемах, где критичны высокое напряжение, низкие динамические потери и высокая эффективность.

• Импульсные источники питания (SMPS): Корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые и обратноходовые топологии.
• Инверторы и драйверы: Для солнечной энергетики, промышленного привода.
• Высоковольтные преобразователи: Источники питания для серверов, телекоммуникационного оборудования, промышленных систем.

Ключевое преимущество технологии CoolMOS™ P7: Достижение оптимального баланса между низким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) и низким зарядом затвора (Qg). Это позволяет снизить как проводимые, так и коммутационные потери, что ведет к повышению общей эффективности и позволяет увеличить рабочую частоту, уменьшив габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | Технология CoolMOS™ P7 | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус с тремя выводами | | Структура | Планар | | | Класс продукта | Экономичный (Value) | Оптимизирован по цене для массовых применений | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 650 В | Основной параметр, определяющий область применения | | Непрерывный ток стока (I_D) при T_C=25°C | 75 А | В идеальных условиях охлаждения | | Сопротивление "сток-исток" в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.045 Ом (45 мОм) макс. | При V_GS=10 В, I_D=37.5 А. Ключевой параметр для потерь проводимости. | | Заряд затвора (Q_g) | 128 нКл тип. | Низкое значение снижает потери на управление и нагрузку на драйвер. | | Энергия включения (E_on) | 2.7 мДж тип. | Параметр для расчета коммутационных потерь. | | Энергия выключения (E_off) | 1.0 мДж тип. | Параметр для расчета коммутационных потерь. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный уровень для управления микросхемами-драйверами. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 520 Вт | При T_C=25°C. Реальная мощность зависит от условий теплоотвода. | | Диод исток-сток (Internal Body Diode) | Есть | Параметры: I_SD=75A, t_rr=150 нс (тип.). |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Парт-номера могут незначительно отличаться в зависимости от упаковки (трубка, трей) или региона. Указанный вами номер является полным и основным.

• Основной полный номер: IKW75N65EL5XKSA1
  • IKW — серия CoolMOS в корпусе TO-247.
  • 75 — номинальный ток (75А).
  • N65 — тип N-канальный, напряжение 650В.
  • EL5 — поколение и ревизия технологии (CoolMOS P7, экономичная линейка).
  • XKSA1 — код упаковки и маркировки (чаще всего означает упаковку в трей/коробку).

Ближайшие прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (Требуют проверки по datasheet!):

При поиске аналога необходимо сверять ВСЕ ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on), Q_g, корпус и цоколевку.

| Производитель | Модель-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Infineon (прямые аналоги в серии) | IKW75N65EH5, IKW75N65ES5 | Модели из других подсерий CoolMOS (EH5, ES5) с близкими, но не идентичными динамическими параметрами. EL5 — наиболее сбалансированная по цене. | | STMicroelectronics | STW75N65M5 | Аналог на аналогичной суперджанкшн-технологии MDmesh™ M5. Очень близкие характеристики. | | ON Semiconductor | FCPF75N65S3 | Модель из серии SuperFET III. Хороший функциональный аналог. | | Texas Instruments | Не производят дискретные MOSFET на 650В. | | | Wolfspeed (Cree) | Не являются прямыми аналогами (используют SiC). | | | Рекомендуемый подход: | Использовать фильтр параметров на сайтах дистрибьюторов (например, LCSC, Mouser, Digi-Key): задавать V_DSS=650В, I_D≈75А, корпус=TO-247, и сортировать по R_DS(on) и Q_g. |

Важные замечания по применению и совместимости:

1. Проверка даташита обязательна. Перед заменой на аналог необходимо сверить все критические параметры, особенно заряды (Q_g, Q_gd) и внутреннюю индуктивность выводов, так как они напрямую влияют на динамические потери и ВЧ-характеристики схемы.
2. Управление. Рекомендуемое напряжение управления затвором V_GS = +10 / 0 В (или +/-12В для самых быстрых переключений). Необходим качественный драйвер с достаточной выходной токовой способностью.
3. Теплоотвод. Корпус TO-247 требует установки на радиатор соответствующего размера. Обязательно использовать термопасту и изолирующие прокладки при необходимости.
4. Пайка. Выводы покрыты припоем, что облегчает пайку. Соблюдайте температурный профиль, указанный в даташите.

Вывод: Infineon IKW75N65EL5XKSA1 — это высококачественный, надежный и популярный MOSFET для построения эффективных высоковольтных преобразователей. Его главные конкуренты — аналогичные модели от STMicroelectronics (MDmesh) и ON Semiconductor (SuperFET).