Infineon IPA083N10N5XKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET-транзистора Infineon IPA083N10N5XKSA1.

Описание

Infineon IPA083N10N5XKSA1 — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Этот транзистор предназначен для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Благодаря технологии OptiMOS™ 5 достигается рекордно низкое сопротивление, что минимизирует проводимые потери и нагрев.
• Высокая эффективность: Идеален для приложений, требующих высокой энергоэффективности, таких как импульсные источники питания (SMPS) и преобразователи DC-DC.
• Высокая стойкость к перегрузкам: Обладает высокой стойкостью к импульсным токам (I_{pulse}), что важно для пусковых режимов и нагрузок с бросками тока.
• Оптимизированный заряд затвора (Q_g): Низкий заряд затвора позволяет снизить динамические потери на переключение и упростить драйвер управления.
• Корпус TO-220: Классический, широко распространенный корпус, обеспечивающий хороший отвод тепла через радиатор.
• Логический уровень управления (Logic Level): Полностью открывается при напряжении на затворе V_GS = 10 В, что позволяет управлять напрямую от большинства современных контроллеров и микроконтроллеров.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в синхронных выпрямителях и первичных ключах.
• Преобразователи DC-DC (повышающие, понижающие, инвертирующие).
• Управление двигателями (например, в промышленных приводах, электромобилях).
• Инверторы (например, для солнечных панелей, ИБП).
• Системы управления батареями (BMS).

Основные технические характеристики (ТХ)

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET, Enhancement Mode
• Технология: OptiMOS™ 5
• Корпус: TO-220
• Количество выводов: 3 (стандартная распиновка: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток)

Электрические параметры (при Tj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_{DSS} | 100 В | - | | Сопротивление открытого канала | R_{DS(on)} | 0.83 мОм (макс.) | V_{GS} = 10 В, I_D = 80 А | | | | 1.0 мОм (макс.) | V_{GS} = 4.5 В, I_D = 40 А | | Максимальный постоянный ток стока | I_D | 290 А | При T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток | I_{DM} | 1200 А | - | | Напряжение затвор-исток | V_{GS} | ±20 В (макс.) | - | | Пороговое напряжение затвора | V_{GS(th)} | 2.0 - 4.0 В | I_D = 1 мА | | Заряд затвора (общий) | Q_g | 170 нКл (тип.) | V_{GS} = 10 В | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off) | 16 нс / 59 нс (тип.) | - | | Диод обратного восстановления | Q_{rr} | 1.35 мкКл (тип.) | - | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_{thJC} | 0.45 К/Вт | - | | Температура перехода | T_j | -55 … +175 °C | - |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор может поставляться под разными маркировками в зависимости от упаковки или лота. Основной парт-номер:

• IPA083N10N5XKSA1 (основной, который вы указали).

Прямые функциональные и форм-факторные аналоги от Infineon (в корпусе TO-220):

• IPP083N10N5 — практически идентичная модель из той же серии OptiMOS™ 5. Часто отличается только нюансами вторичных характеристик или системой маркировки.
• IPP110N10N5 — аналог с чуть более высоким R_{DS(on)} (1.1 мОм), но часто более доступный по цене.
• IPP075N10N5 — аналог с более низким R_{DS(on)} (0.75 мОм) и чуть более высокими предельными токами.

Аналоги в других корпусах (для разных конструктивов):

• IPB083N10N5 (корпус TO-263 / D²PAK) — SMD-аналог для поверхностного монтажа.
• IPP083N10N5 G (корпус TO-220 FullPAK) — с полностью изолированной медной пластиной для улучшенного теплоотвода.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: V_{DSS} (100В), I_D, R_{DS(on)} и корпус (TO-220). Наиболее близкие аналоги:

• ON Semiconductor (ныне onsemi):
  • FDP110N10 (100 В, 110 А, 8.5 мОм) — устаревшая технология, параметры хуже.
  • NVTFS6H10N (100 В, 100 А, 6.0 мОм) — из серии T10, хороший аналог по характеристикам.
• STMicroelectronics:
  • STP110N10F7 (100 В, 110 А, 7.0 мОм) — уступает по Rds(on).
  • STL110N10F7 (в корпусе TO-220) — аналог предыдущего.
• Vishay Siliconix:
  • SUD110N10-10 (100 В, 110 А, 10.0 мОм) — значительно уступает по основным параметрам.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AOT110N10 (100 В, 110 А, 10.5 мОм) — параметры скромнее.

Важное замечание: Технология Infineon OptiMOS™ 5 на момент своего вывода на рынок была лидером в классе 100В MOSFET по соотношению Rds(on) к цене. Поэтому полностью идентичных по всем параметрам аналогов от других брендов часто не существует. Модели конкурентов с сопоставимым Rds(on) (около 0.8-1.0 мОм) обычно относятся к более новым и дорогим поколениям.

Рекомендация: При замене всегда сверяйте даташиты (datasheet) обоих компонентов, уделяя внимание не только основным параметрам, но и динамическим характеристикам (заряды Q_g, Q_rr, времена переключения), а также характеристикам внутреннего диода (если он используется в схеме). Для критичных по эффективности применений лучшим выбором остаются аналогичные модели из серии OptiMOS™ 5/6/7 от Infineon.