Infineon Ipa50r190ce

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon IPA50R190CE.

Общее описание

Infineon IPA50R190CE — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CE. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением, таких как Flyback (обратноходовой преобразователь), Forward (прямоходовой) и PFC-каскады (корректор коэффициента мощности).

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ CE:

• Высокая эффективность: Оптимизирован для работы на частотах до 100 кГц, обеспечивает низкие динамические потери.
• Отличное соотношение Rds(on) * Qg: Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) в сочетании с умеренным зарядом затвора (Qg) позволяет снизить как проводимые, так и коммутационные потери.
• Высокая надежность: Встроенный стабилитрон для защиты затвора, широкий диапазон безопасной работы (SOA), высокая стойкость к dv/dt.
• Упрощение схемы управления: Благодаря низкому уровню Miller-плато, упрощается конструкция драйвера затвора.

Основное назначение: Блоки питания для ПК, серверов, бытовой электроники, промышленного оборудования, светодиодных драйверов.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, CoolMOS™ CE | Superjunction технология | | Корпус | TO-220 | Изолированный (с изолирующей теплопроводящей прокладкой) | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 550 В | Максимальное допустимое напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 190 мОм (макс.) | При Vgs=10 В, Iд=25°C | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | ~ 290 мОм (тип.) | При Vgs=10 В, Iд=100°C (важно для расчета потерь) | | Постоянный ток стока (Id) | 9.5 А | При Tc=25°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 38 А | | | Заряд затвора (Qg) | 52 нКл (тип.) | При Vgs=10 В, ключевой параметр для выбора драйвера | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±30 В | | | Входная емкость (Ciss) | 1800 пФ (тип.) | | | Энергия восстановления обратного диода (Ear) | 9.0 мкДж (тип.) | Важно для PFC и мостовых схем | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 1.0 °C/Вт | | | Диапазон рабочей температуры перехода (Tj) | от -55 °C до +150 °C | |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги от Infineon)

Официальные альтернативы в других корпусах или с незначительными отличиями в тестировании:

• SPA50R190CE — Аналог в корпусе TO-247. Имеет лучшее тепловое сопротивление (RthJC ≈ 0.45 °C/Вт) и рассчитан на бóльшую мощность.
• IPA50R190C6 — Модель из более новой линейки CoolMOS™ C6, которая пришла на смену CE. Как правило, обладает улучшенными характеристиками (лучшее соотношение Rds(on)/Qg). Является прямым и рекомендуемым аналогом для новых разработок. Номер в корпусе TO-220: IPA50R190C6XKSA1.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей

При поиске замены необходимо сравнивать Vds, Id, Rds(on) (при 100°C!), Qg и корпус. Ниже приведены наиболее близкие аналоги по ключевым параметрам.

| Производитель | Модель | Vds | Rds(on) (при ~10В) | Id | Qg | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP11NM50 | 550 В | 190 мОм | 10 А | 45 нКл | TO-220 | MDmesh™ II, классический аналог | | STMicroelectronics | STF11NM50 | 550 В | 190 мОм | 10 А | 45 нКл | TO-220FP | Изолированный, аналог в плоском корпусе | | ON Semiconductor | FCP11N60 | 600 В | 190 мОм | 11 А | 42 нКл | TO-220 | SuperFET® II, напряжение выше | | ON Semiconductor | FDP11N50 | 500 В | 160 мОм | 11 А | 50 нКл | TO-220 | | | Vishay / Siliconix | SUP11N50-25 | 500 В | 250 мОм | 11 А | 55 нКл | TO-220 | | | Power Integration | — | — | — | — | — | — | Не прямой аналог. PI производит готовые силовые сборки, но для схем, где используется дискретный MOSFET, можно подобрать из их линейки. |

Важные замечания по замене:

1. IPA50R190C6 от Infineon — это прямой и современный аналог, который предпочтительнее для новых проектов.
2. Перед заменой обязательно сверяйте распиновку (pinout) и параметры, критичные для вашей схемы: энергия обратного восстановления (Ear), внутренний диод, емкости (Coss, Crss).
3. В существующей схеме замена на аналог с меньшим зарядом затвора (Qg) обычно безопасна и может улучшить параметры. Замена на транзистор с бóльшим Qg может привести к перегреву драйвера.
4. Всегда проводите тестирование в реальных условиях при модернизации или ремонте.

Вывод: IPA50R190CE — это надежный, хорошо зарекомендовавший себя транзистор для мощных импульсных блоков питания. Для новых разработок Infineon рекомендует использовать более новое поколение C6, а при ремонте можно успешно применять аналоги от STMicroelectronics или ON Semiconductor с учетом нюансов, указанных выше.