Infineon IPA60R080P7
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IPA60R080P7
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IPA60R080P7.
Общее описание
Infineon IPA60R080P7 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ P7. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением, таких как Flyback, Forward, PFC (корректор коэффициента мощности) и LLC-резонансные преобразователи.
Ключевые преимущества этой серии:
- Высокая эффективность: Технология P7 оптимизирована для минимизации коммутационных и проводимых потерь.
- Отличное соотношение "цена/производительность": Предлагает улучшенные характеристики по сравнению с предыдущими поколениями (P6, C7) при конкурентной цене.
- Высокая надежность и стойкость к перегрузкам: Обладает высокой стойкостью к импульсным токам и лавинным процессам (Avalanche Rugged).
- Низкое значение Qg (заряд затвора): Что позволяет создавать более простые и экономичные схемы управления затвором.
Основные технические характеристики (ТХ)
| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-Channel MOSFET | — | Технология CoolMOS™ P7 | | Корпус | TO-220 | — | Пластиковый, сквозной монтаж | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 650 | В | Максимальное напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.080 | Ом | Тип. при VGS=10В, ID=30А | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 30 | А | При TC=25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 120 | А | — | | Заряд затвора (Qg) (тип.) | 75 | нКл | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 | В | — | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (VGS) | ±30 | В | — | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкое | — | Важно для PFC и мостовых схем | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 0.45 | °C/Вт | — | | Температура перехода (TJ) | -55 ... +150 | °C | — |
Ключевая особенность: Низкое значение RDS(on) (80 мОм) в сочетании с высоким напряжением 650В и хорошей скоростью переключения делает этот транзистор отличным выбором для источников питания мощностью примерно 300-600 Вт.
Part-номера (полные обозначения Infineon)
Официальное полное название для заказа обычно включает в себя префикс и упаковку:
- IPA60R080P7XKSA1 — Версия в тубе (Tube).
- IPA60R080P7XKSA1 — Также может поставляться на стандартной катушке (Tape & Reel), что указывается в документации заказа.
Для дизайна принципиальной схемы и спецификации достаточно указывать IPA60R080P7.
Совместимые и аналогичные модели
При поиске замены или аналога важно смотреть не только на цифры RDS(on), но и на технологию, динамические параметры (Coss, Qg, Qrr) и корпус.
1. Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-220):
- IPA60R099P7 (0.099 Ом) — Мощность чуть меньше, более бюджетный вариант в той же серии.
- IPA60R125P7 (0.125 Ом) — Для менее мощных применений.
- IPA60R060P7 (0.060 Ом) — Более низкое сопротивление, для более мощных или эффективных схем.
- Из предыдущего поколения: IPW60R080P6 (CoolMOS P6) — Близкий аналог по RDS(on), но с несколько худшими динамическими характеристиками.
2. Аналоги в других корпусах (от Infineon):
- IPP60R080P7 — Корпус TO-220 FullPAK (полный пластик, изолированный от радиатора).
- IPD60R080P7 — Корпус D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа (SMD).
- SPP60R080P7 — Корпус TO-3PF (аналогичен TO-247).
3. Аналоги от других производителей (Cross-Reference):
Здесь необходима внимательная проверка даташитов, так как полного совпадения всех параметров может не быть.
| Производитель | Модель-кандидат | Серия/Технология | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP21N65M7, STW21N65M7 | MDmesh™ M7 | Очень близкая и популярная альтернатива. STP21N65M7 имеет RDS(on) = 0.085 Ом. | | ON Semiconductor | FCPF065N80, NCPF065N80 | SuperFET® III | Мощные MOSFET с хорошими характеристиками. | | Vishay / Siliconix | SUP60N08-17 | E-series | Нужно сверять динамические параметры. | | Toshiba | TK14A60W | DTMOSVI | Конкурирующая технология. |
Важное примечание по замене:
Перед заменой IPA60R080P7 на аналог обязательно следует:
- Сравнить критические параметры: VDSS, ID, RDS(on), Qg, Qrr.
- Проверить распиновку (pinout) корпуса.
- Убедиться, что паразитные емкости (Ciss, Coss, Crss) не сильно отличаются, особенно в высокочастотных схемах.
- Провести тестирование в реальной схеме, особенно на предмет нагрева и ЭМИ.
Вывод: Infineon IPA60R080P7 — это высококачественный и популярный транзистор для современных импульсных БП. Его лучшими прямыми аналогами являются другие модели линейки CoolMOS P7 в нужном корпусе, а также транзисторы серии MDmesh M7 от STMicroelectronics.